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二极管又称晶体二极管，具有一个 PN 节，有两个管脚，一个正极、一个负极，最大的特性是单向导电性，即电荷只能由正极流向负极。主要起整流、续流、保护、隔离等作用，于是庞大的二极管家族有整流二极管、稳压二极管、发光二极管、整流二极管、开关二极管、肖特基二极管等不同分支。
三级管具有两个 PN 结，排列方式有 PNP 和 NPN 两种，是一种控制电流的半导体器件，用来把微弱信号放大成幅度值较大的电信号。一共有三个引脚，分别是基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。主要起放大、振荡、开关等作用。
场效应晶体管(FET)简称场效应管，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。有结型场效应三极管 JFET 和绝缘栅型场效应三极管 IGFET 之分。1960 年 Dawan Kahng 发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了 JFET。而目前大家听的最多的 MOSFET 其实就是 IGFET。
热搜排行榜 Top 20
二极管
1N4007
1N4007 是一种常用的整流二极管，常用于桥式整流电路。较强的正向浪涌承受能力 30A，最大正向平均整流电流 1.0A，极限参数为 VRM≥50V，最高反向耐压 1000V，最大反向漏电流 5uA，正向压降 1.0V，最大反向峰值电流 30uA。
典型热阻 65℃/W，典型结电容 15pF，工作温度为－50℃～+150℃。
1N5819
1N5819 为肖特基二极管。反向击穿电压可达 40V，峰值电流 25A，正向压降 0.2V，工作温度范围是 -65 度到 125 度。过压保护低功率损耗，高效高电流能力，因为在低电压低正向压降高浪涌能力，高频逆变器，免费过网，并极性保护应用高温焊接保证。
BAV99
BAV99 是具有串联对二极管配置的 350 mW 高速开关二极管阵列。由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。这些功能使 BAV99 适用于需要一些额外功率能力的面积受限应用。主要应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路。
SS14
SS14 为肖特基二极管，导通电流 1A ,反向耐压 40V。适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如 X 波段、C 波段、S 波段和 Ku 波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在电源防止反接的用途中也经常出现他的身影。
SS34
SS34 为肖特基二极管，常用在小电流的（模型）电调上用，用于电路瞬间整流。肖特基二极管（又译萧特基二极管）是一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管，是利用肖特基势垒特性而产生的电子元件。肖特基二极管最大的缺点是其反向偏置较低及反向漏电流偏大。
MB6S
MB6S 为用于 AC/DC 电桥全波整流的二极管，用于电源，照明镇流器，电池充电器，家用电器，办公设备和电信应用。MB6S 具有玻璃钝化、表面贴装、铅锡镀铜、任何安装位置、420V RMS 反向电压、-55 至 150°C 工作温度范围等特点。MB 系列桥式整流器属于 0.5A 整流器系列，可以小巧的体积实现巨大的浪涌电流吸收能力。
1N5822
1N5822 是典型的肖特基二极管，具有正向导通电压低（0.52V），反向击穿电压高（40V)，反向击穿电流大（3A），多用于限流及保护电路。
LL4148
LL4148 是一款释放小信号的二极管。它的反向漏电流比较小，开关速度快，并且可靠性和稳定性都非常的高。
P6SMB18A
P6SMB18A 是一种 TCS 二极管，TVS 或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当 TVS 管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。 TVS 的反应速度比 RC 回路快 10E-12s,可不用考虑 TVS 的击穿电压 VBR,反向临界电压 VWM,最大峰值脉冲电流 IPP 和最大箝位电压 VC 及峰值脉冲功率 PP。
三极管
S8050
S8050 是非常常见的 NPN 型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。最大集电极电流为 0.5A，直流电增益 10 ~60db，功耗为 625 mW，最大集电极 - 发射极电压（VCEO）25V，特征频率 150 MHz。
2N3904
2N3904 为 NPN 型晶体管，在小信号放大电路中经常见到。集电极电流最大为 200mA，集电极发射极击穿电压最大为 40V，最大功率 800mW，最大应用频率 100MHz。
S9013
S9013 为 NPN 型小功率三极管。主要用作音频放大和收音机 1W 推挽输出以及开关等 。S9012、S9014、S9015、S9018 为同系列的晶体小功率三极管。
SS8050
SS8050 为 NPN 型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大，也可用作开关电路。在共集电路中输入和输出信号反向，因此利用该三极管可以实现弱电压控制强电压，在对成本敏感的领域里，不少工程师直接利用三极管搭建 TTL 与 RS232 转换电路，替代 MAX232 的功能，节约成本。最大集电极电流 0.5 A，功耗 625 mW，特征频率为 150 MHz。
对于易于混淆的 S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050，8050 为 NPN 型三极管、8550 为 PNP 型三极管。SS8050 与 S8050 相比，SS8050 的电流能力要大一些。
场效应管
74HC595
74HC595 是硅结构的 CMOS 器件，兼容低电压 TTL 电路，具有速度快、功耗小、操作简单的特点。595 具有 8 位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。8 位串行 / 串行或并行输出移位寄存器，在电子显示屏制作中有广泛的应用。三态分别为高阻、关、断状态。
2N7002
2N7002 为 N 沟道增强型场效应晶体管，漏极电流 Id 最大值为 280mA，电压,Vds 最大为 60V。
IR2113
IR2113 由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平转换器、输入逻辑电路组成。它把驱动一高压侧和一低压侧 MOSFET 或 IGBT 所需要的绝大部分功能集成在芯片内。 可以根据自举原理工作或加一浮动电源，外围电路简单。
2SK1336
2SK1336N 沟道场效应管，为高速电源开关管，具有低导通电阻，适用于电机驱动及 DC-DC 控制。
IRC540
IRC540 为 N 沟道 MOSFET，导通电流为 28A ，Vdss 为 100V ，导通电阻为 0.077Ω，具有快速开关、驱动简单等特点。
AO3400
AO3400 为 N 沟道增强型的 MOSFET，主要用于高密度电池设计，适用于超低导通电阻。
IRF3710
IRF3710 为 N 型场效应管。IRF3710 的 HEXFET 功率场效应管采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3710 这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的 HEXFET 设计，使得 IRF3710 成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。漏极电流 Id 最大值为 59A，电压 Vds 最大为 100V。
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