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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料

常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料收起

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  • 宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述
    氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上高压器件的重要候选材料。同时，氧化镓在深紫外探测等光电子领域同样展现出良好的应用前景。 然而，氧化镓也存在两个关键瓶颈：一是其本征热导率较低（通常小于30 W/m·K），在高功
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    04/04 18:36
    半导体 氧化镓
  • 国际首次！12英寸氧化镓单晶问世
    在“十五五”规划开局之年，富加镓业在氧化镓领域实现关键进展。3月26日，公司宣布成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，刷新全球单晶尺寸纪录，并成为首家掌握该尺寸生长技术的企业。这是在其2025年实现8英寸晶体突破后的进一步升级，标志着我国在超宽禁带半导体材料规模化发展上迈出重要一步。 从产业角度看，晶圆尺寸由8英寸迈向12英寸，不仅显著提升单片晶圆的芯片产出能力、降低单位成本，还为氧化镓器件
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    04/04 18:34
    半导体 氧化镓
  • 又一上市企业出资加码金刚石半导体
    3月27日，北京九州一轨环境科技股份有限公司（简称“九州一轨”，股票代码：688485.SH）发布公告，拟与江苏通用半导体有限公司共同出资设立北京通用九州金刚石科技有限公司（暂定名）。合资公司注册资本2亿元人民币，其中九州一轨以现金出资8000万元，占注册资本40%；江苏通用半导体出资1.2亿元，占60%，并为合资公司实际控制人。 合资公司注册地为北京市，核心业务聚焦第四代半导体材料（金刚石）的研
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    04/04 17:55
    半导体 金刚石
  • 天岳先进：2025年SiC衬底销量超63万片
    3月28日，天岳先进发布2025年年度报告，作为全球碳化硅衬底龙头企业，其全年经营呈现销量大幅增长、研发持续加码、全球化客户深化等特征，在行业调整期内持续巩固领先地位。 具体来看，天岳先进财报的亮点主要体现在SiC衬底营收、产销情况、业务合作等方面： SiC衬底营收 2025年，天岳先进实现营业总收入14.65亿元；其中，主营业务——碳化硅半导体材料的收入达12.25亿元，占总营收的比例为83.6
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    04/04 17:53
    半导体 SiC
  • 瀚天天成正式上市，市值超451亿港元
    3月30日，碳化硅外延龙头企业瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市，成为港股市场又一家聚焦第三代半导体领域的企业。 上市首日，瀚天天成表现亮眼，开盘即大涨44.24%，盘中最高触及110港元，市值突破451亿港元（约合人民币396.88亿）。 据悉，瀚天天成此次IPO全球发售2149.205万股H股，占发行完成后总股份的约5.05%，每股定价76.26港元，募集资金
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    04/04 17:52
    半导体 碳化硅

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