SK海力士又采购30台HBM键合设备

据报道，SK海力士很可能将新加坡ASMPT设备用于其第五代HBM（HBM3E）技术，该技术被认为是高带宽存储器（HBM）中的尖端产品组。由于HBM是通过堆叠DRAM来封装的特性，因此层数越高成品率就越不稳定，据悉ASMPT设备获得了SK海力士的高度评价。

据业内人士2月26日透露，SK海力士已向ASMPT订购TC Bonder设备，目前正在测试多种HBM产品组，其中包括HBM3E 16层产品。 TC键合机是HBM制程中必不可少的设备，是一种将多个芯片垂直堆叠的设备。就 SK Hynix 而言，他们重复使用 TC 键合机稍微抬高芯片裸片的工序，然后使用回流焊 (MR) 工艺将芯片键合。之后，还要经过底部填充工艺以实现绝缘。 SK Hynix将此工艺称为MR-MUF（模塑底部填充）。

经确认，SK海力士曾于今年1月美国拉斯维加斯举办的‘CES 2025’上展示过采用ASMPT设备生产的16层HBM3E产品。 HBM3E 16 层产品被称为从 HBM3E 12 层产品向 HBM4（第 6 代 HBM）的过渡产品。随着 Meta 和谷歌等主要大型科技公司开发自己的人工智能（AI）芯片并要求 HBM4 定制产品，HBM3E 16 层可能是 HBM4 商业化之前最可行的替代方案。

半导体业内人士解释道，“由于HBM4与前几代产品不同，属于定制产品，因此部分客户安装功能更强大的HBM3E的可能性很高，随着DeepSeek等低成本AI模型的出现，价格低于HBM4的HBM3E产品线的硬件需求可能会持续更长时间”。

全球HBM市场第一大龙头SK海力士的TC Bonder曾一度被韩美半导体垄断。不过，SK海力士一直在努力实现设备供应商多元化。韩华半导体最近一直致力于开发包括ASMPT在内的TC键合机，也是强大的供应商之一。有业内人士认为，去年SK海力士生产线上已经部署了约30台ASMPT设备。

随着HBM数量的增加，工艺也随之发生变化，因此键合设备的重要性也随之增加。以HBM3E 12层为例，由于芯片厚度有所减小，因此在键合时会施加一点热量，使其轻微键合，然后再经过MR工艺，以防止翘曲。 SK Hynix 将这一过程称为 hMR（加热质量回流）。

熟悉SK海力士的一位人士表示，“我们了解到，在HBM3E 16层工艺的模拟过程中，随着HBM层数的增加，ASMPT设备的性能要高于韩美半导体的设备”，并且“看来，CES 2025上亮相的HBM3E 16层产品采用ASMPT设备与此不无关系”。