话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

sayuenala · 发表于 2016-7-23 22:11:43

对称型Doherty功率放大器的增益和效率（为输出功率的函数），采用单载波、64 DPCH、10 dB PAR WCDMA测试信号，频率为3.5 GHz。

sayuenala · 发表于 2016-7-23 22:11:51

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎，要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调，这是配合DPD使用时的必要条件。

sayuenala · 发表于 2016-7-23 22:12:14

基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

sayuenala · 发表于 2016-7-23 22:12:30

GaN固态功率放大器旨在解决业界对宽瞬时带宽、高输出功率放大器的需求。

sayuenala · 发表于 2016-7-23 22:12:37

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。Qorvo 的 X 波段功率晶体管将于2015 年第 4 季度上市。

lastimy · 发表于 2016-7-23 22:12:53

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

lastimy · 发表于 2016-7-23 22:12:59

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

lastimy · 发表于 2016-7-23 22:13:10

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

lastimy · 发表于 2016-7-23 22:13:19

这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性，可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。

fanyao-367090 · 发表于 2016-7-23 22:13:31

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

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