话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

飞行的UPS · 发表于 2016-7-23 22:07:23

氮化镓半导体，让我们的生活提高了不止一个档次，它间接的推动了我们的智能生活，让我们在互通互联世界，就算远离他乡，也不能阻挡我们之间的联系。

飞行的UPS · 发表于 2016-7-23 22:07:34

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。

飞行的UPS · 发表于 2016-7-23 22:07:41

Qorvo 出色的 GaN 解决方案已通过严格的热量和水分压力测试，因此产品可在严苛的环境下工作，这也为雷达制造商增添了信心

Belight · 发表于 2016-7-23 22:07:50

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

Belight · 发表于 2016-7-23 22:07:58

为了使功率放大器产品（包括驱动器和前置驱动器级）维持高效率，最终Doherty放大器（3.5 GHz频段的绝佳选择）的增益需要尽量高。

Belight · 发表于 2016-7-23 22:08:05

在2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

Belight · 发表于 2016-7-23 22:08:14

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供，通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。硅上氮化镓工艺也在考虑当中，但硅的热导率和电导率相对较差，抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:08:22

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:08:30

随着栅极长度的缩短，基于GaN的SSPA将能支持更高的工作频率，因此会有越来越多的GaN器件用于工作在毫米波频率的系统

liuxi · 发表于 2016-7-23 22:08:42

这是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。

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