话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

kaierwen

2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

熊孩子a

扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高，通常比GaAs高出两到三倍，比Si LDMOS器件高出五到七倍。 这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。

熊孩子a

2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。到2016年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

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Qorvo 新推出的塑料封装 GaN RF 晶体管可降低 X 波段雷达成本

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为了使功率放大器产品（包括驱动器和前置驱动器级）维持高效率，最终Doherty放大器（3.5 GHz频段的绝佳选择）的增益需要尽量高。

tansft

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供，通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。 硅上氮化镓工艺也在考虑当中，但硅的热导率和电导率相对较差，抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。

tansft

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高，因为100 MHz的信号带宽已纳入规划，而200 MHz则在讨论中。

lastimy

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

lastimy

RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。

dateup

GaN器件也适用于高可靠性空间应用。