话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

恋上你的芯 · 发表于 2016-7-23 22:01:17

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM 是设计在 8-12GHz 频率波段中工作的优质 GaN 晶体管。

恋上你的芯 · 发表于 2016-7-23 22:01:42

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。

植物大战奥特曼 · 发表于 2016-7-23 22:01:53

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

植物大战奥特曼 · 发表于 2016-7-23 22:02:02

在2014年，能支持8kW脉冲输出功率的GaN工艺的X波段放大器已被验证能在雷达系统应用中替代行波管(TWT)和TWT放大器。

植物大战奥特曼 · 发表于 2016-7-23 22:02:10

到2016 年，预计会有很多这种支持32kW的固态GaN工艺的共V领放大器出现。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。

莎啦啦 · 发表于 2016-7-23 22:02:20

RF功率放大器设计人员关注GaN器件，因为它们支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗。

sunkong · 发表于 2016-7-23 22:02:38

氮化镓半导体，让我们的生活提高了不止一个档次，它间接的推动了我们的智能生活，让我们在互通互联世界，就算远离他乡，也不能阻挡我们之间的联系。给我们规避各种不可预知的风险，比如：有了雷达，可以预防陨石，恐怖事件，敌国入侵等等。

熊孩子a · 发表于 2016-7-23 22:02:52

GaN的功放管，你值得拥有！！

熊孩子a · 发表于 2016-7-23 22:03:17

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

熊孩子a · 发表于 2016-7-23 22:03:39

在许多高频应用以及所有低频应用（除对成本最为敏感的应用之外）中，基于GaN的器件已经在很大程度上取代了砷化镓(GaAs)和硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

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