话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

JonhLee · 发表于 2016-7-22 13:04:12

当个别MMIC发生故障时，这种合并方法保证输出性能不会急剧降低。 TWT放大器则不是如此，由于其冗余性较低，单一故障往往会导致器件发生灾难性故障。对于这种固态GaN功率放大器，RF/微波合并架构必须在MMIC间所需的隔离与整个网络的RF/微波插入损耗之间取得合理的平衡。

JonhLee · 发表于 2016-7-22 13:04:19

8 kW SSPA支持将多个模块式SSPA合并以产生更高的功率水平

JonhLee · 发表于 2016-7-22 13:04:25

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 13:04:42

当前GaN改善性能并降低成本的趋势应当会持续一段时间。

kaierwen · 发表于 2016-7-22 13:05:07

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

kaierwen · 发表于 2016-7-22 13:05:18

GHz以上的宽带应用，ADI公司也开发了一款GaN放大器，其可在2 GHz到18 GHz频段产生50 W连续波(CW)输出功率。

kaierwen · 发表于 2016-7-22 13:05:27

对称型Doherty功率放大器的增益和效率（为输出功率的函数），采用单载波、64 DPCH、10 dB PAR WCDMA测试信号，频率为3.5 GHz。

☆泷瀛潇湘☆ · 发表于 2016-7-22 16:16:23

0.15、0.25 和 0.5 微米的碳化硅基氮化镓的晶圆代工流程, 工作频率覆盖至 DC-40GHz，这么高的工作频率都是GaN的功劳啊

dateup · 发表于 2016-7-22 16:41:11

以前基于GaAs或LDMOS的设计的输出阻抗常常极其低，现在确实不同了，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗。

dateup · 发表于 2016-7-22 16:41:44

支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），设计人员方便了好多

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