话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

熊孩子a

在不久的将来，随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆（直径150 mm及更大，目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发），成本有望降低50%左右。

飞行的UPS

现在有了硅上氮化镓工艺，虽然存在上面提到的性能问题，但这种工艺生产的器件可能最适合成本敏感型应用。

飞行的UPS

在不久的将来，随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆（直径150 mm及更大，目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发），成本有望降低50%左右。

熊孩子a

作为高功率TWT放大器的替代产品，ADI公司基于GaN技术开发了一款8 kW固态X波段功率放大器。 该设计采用创新的分层合并方法，将256个MMIC的RF/微波输出功率加总，各MMIC产生大约35 W的输出功率。

zhaoxianden

该放大器可以安装在标准19英寸机壳中。 该放大器的当前设计（图2）采用水冷，其他采用空冷的版本正在开发当中。 表1给出了水冷8 kW GaN PA的性能摘要。

zhaoxianden

目前正在开发含有三个这样的8 kW SSPA模块的放大器，其在相同频率范围上可实现24 kW的峰值输出功率水平。 其他实现32 kW功率水平的配置也是可行的，目前正在考虑以供进一步评估。

zhaoxianden

针对VHF到S波段频率，ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器，其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。 在全频率范围内，当馈入0 dBm的标称输入信号时，该放大器可实现46 dBm（典型值40 W）的输出功率水平。

zhaoxianden

氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。 通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压

Tom Chen

硅基氮化钾是趋势～成本会降低很多。MA_COM主打硅基。

Tom Chen

GaN，即氮化镓，属六角纤锌矿结构。在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。