楼主: huachuixuezhiwu

话题活动:发表GaN想法和感受,即可获得大奖(绝壁公正)

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发表于 2016-7-22 12:58:49 | 显示全部楼层
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这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性,可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。
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发表于 2016-7-22 12:59:00 | 显示全部楼层
通过降低器件的寄生参数,以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压,GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。
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发表于 2016-7-22 12:59:06 | 显示全部楼层
GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。通常工业上采用MOCVD设备来生长。
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发表于 2016-7-22 12:59:18 | 显示全部楼层
为了使功率放大器产品(包括驱动器和前置驱动器级)维持高效率,最终Doherty放大器(3.5 GHz频段的绝佳选择)的增益需要尽量高。
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发表于 2016-7-22 12:59:27 | 显示全部楼层
3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高,因为100 MHz的信号带宽已纳入规划,而200 MHz则在讨论中。
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发表于 2016-7-22 12:59:37 | 显示全部楼层
RF功率放大器设计人员关注GaN器件,因为它们支持非常高的工作电压(比GaAs高三到五倍),并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。
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发表于 2016-7-22 12:59:43 | 显示全部楼层

8 kW SSPA支持将多个模块式SSPA合并以产生更高的功率水平。
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发表于 2016-7-22 12:59:53 | 显示全部楼层
设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎,要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调,这是配合DPD使用时的必要条件。
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发表于 2016-7-22 13:00:05 | 显示全部楼层
在不久的将来,随着GaN器件制造转向更大尺寸的晶圆(直径150 mm及更大,目前有多家领先的GaN器件代工厂正在开发),成本有望降低50%左右。
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发表于 2016-7-22 13:00:43 | 显示全部楼层
现在有了硅上氮化镓工艺,虽然存在上面提到的性能问题,但这种工艺生产的器件可能最适合成本敏感型应用。
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