话题活动：发表GaN想法和感受，即可获得大奖(绝壁公正）

Belight · 发表于 2016-7-22 19:41:08

扩大GaN在高功率应用中的使用的主要障碍是其制造成本相对较高，通常比GaAs高出两到三倍，比Si LDMOS器件高出五到七倍。这阻碍了它在无线基础设施和消费者手持设备等成本敏感型应用中的使用。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-22 19:41:23

3.4-3.6 GHz频段的视频带宽必须较高，因为100 MHz的信号带宽已纳入规划，而200 MHz则在讨论中。

RM爱好者 · 发表于 2016-7-22 19:41:31

针对VHF到S波段频率，ADI公司开发了一款尺寸非常小、功能丰富、多倍频程的放大器，其在115 MHz到2000 MHz范围内可提供50 W输出功率。在全频率范围内，当馈入0 dBm的标称输入信号时，该放大器可实现46 dBm（典型值40 W）的输出功率水平。

烙馍菜盒 · 发表于 2016-7-22 19:41:41

设计非对称型Doherty功率放大器时必须格外谨慎，要确保Doherty功率放大器的AM-AM和AM-PM响应平滑且单调，这是配合DPD使用时的必要条件。

fightingboon · 发表于 2016-7-22 19:41:55

对称型Doherty功率放大器的增益和效率（为输出功率的函数），采用单载波、64 DPCH、10 dB PAR WCDMA测试信号，频率为3.5 GHz。

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 19:42:07

更有效的替代解决方案是以更高的功率水平连续覆盖宽频率范围，这已经通过两个不同的GaN放大器得到实现，一个放大器覆盖VHF至L波段频率，另一个覆盖2 GHz至18 GHz。

熊孩子a · 发表于 2016-7-22 19:42:16

氮化镓半导体，让我们的生活提高了不止一个档次，它间接的推动了我们的智能生活，让我们在互通互联世界，就算远离他乡，也不能阻挡我们之间的联系。

lukaisi · 发表于 2016-7-22 19:42:27

通过降低器件的寄生参数，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。

Lumhao · 发表于 2016-7-22 19:42:55

此类器件有多家晶圆厂和器件制造商可以提供，通常采用100 mm碳化硅(SiC)晶圆制造。硅上氮化镓工艺也在考虑当中，但硅的热导率和电导率相对较差，抵消了其在高性能、高可靠性应用中的成本优势。

eefishing · 发表于 2016-7-22 19:43:11

GaN技术可以在安全的频率上实现高效的电力传输，这对硅晶体管而言，是一件艰难的工作。将GaN技术带到更高的电压和更高的频率，可以扩展无线电力传输的距离。

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