光刻技术

光刻技术是一种重要的微电子制造工艺，利用光刻机将掩膜图案转移到光刻胶上，再通过后续的化学或物理方法去除某些区域的光刻胶，形成具有所需功能和形状的微米级或亚微米级结构。

1.光刻技术原理

光刻技术的基本原理是利用凸透镜将紫外线光汇聚于光刻胶表面，使光刻胶在被照射的区域发生化学反应或物理变化，然后通过显影、退火等工艺去除光刻胶的一部分，最终形成所需的图案。

2.光刻技术的特点

（1）分辨率高，能够制造纳米级及以下器件结构；
（2）适用于多种材料，可制备不同性质和形状的器件；
（3）批量生产能力强，可快速、准确地制造大量相同或相似的器件；
（4）制作流程复杂，环节多，成本高。

3.光刻技术的应用

光刻技术广泛应用于半导体、平板显示、微机电系统（MEMS）、光学元件等领域，是制造集成电路和微纳制造的重要工艺之一。在集成电路制造中，光刻工艺通常被用于制作芯片上的电路图案和相互连接的线路；在MEMS制造中，光刻技术则可以用于制作微机械构件和传感器；在光学元件制造领域，光刻技术可用于制作透镜、棱镜等光学元件。