漂移电流

漂移电流（Drift Current）是半导体中的一种电流，它是由于晶格散射引起的载流子（电子或空穴）的移动而产生的。在多数情况下，漂移电流比扩散电流小得多，但仍然对半导体器件的性能有非常重要的影响。

1.什么是漂移电流

漂移电流是指电子或空穴在外加电场作用下，因受到晶格散射所形成的电流。在半导体中，载流子的移动不仅受到外加电场的驱动，还受到杂质、晶格等的影响，从而形成了漂移电流。

2.漂移电流的大小与什么有关

漂移电流的大小取决于半导体中载流子迁移率以及外加电场的强度和方向。在强电场下，电子或空穴容易被加速，因此会增加漂移电流的强度。但当电子或空穴运动速度过快时，晶格的振动会剧烈增大，并引起更多的散射，这将导致漂移电流的减弱。此外，掺杂浓度也是影响漂移电流大小的重要因素之一。

3.漂移电流在什么作用下形成

漂移电流主要在PN结和MOS场效应管等器件中产生。在PN结中，由于P型半导体和N型半导体的载流子浓度不同，形成了内建电场，驱动着电子或空穴漂移。在MOS场效应管中，通过调节栅极电压可以改变沟道区电荷密度的分布，从而控制漂移电流的大小。