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CINNO Research产业资讯，SK海力士继美国Lam Research之后，将与日本JSR在下一代DRAM领域展开合作。这是确保内存技术领先地位的一个维度。
近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士为了实现EUV用金属氧化物PR的应用，开展联合研究
Inpria 是一家公关公司，成立于 2007 年，是从俄勒冈州立大学化学研究中心分拆出来的。在 2017 年收购 21% 的股份后，JSR 去年获得了 79% 的股份，从而收购了 Inpria。
自2007年成立以来，Inpria一直致力于开发基于金属的EUV光刻胶。其主要产品主要由氧化锡组成，使用EUV曝光系统实现了世界上最高分辨率。此外，金属基光刻胶在干蚀刻过程中的图案转移性能方面优于传统光刻胶，非常适合半导体量产工艺。
PR是一种用于半导体曝光工艺的材料。当 PR被施加到晶圆上并暴露在光掩模上所描绘的光线下时，就会雕刻出电路图案。这个过程就是曝光。
Inpria 的 PR 是一种基于金属氧化物的无机材料。现有的有机PR是通过化学物质与光发生反应来雕刻图案，而无机PR是锡系金属颗粒与光接触形成电路。在一个简单的比较中，液体和固体本质上更坚硬。
因此，无机 PR 的光吸收率是有机 PR 的 4 倍。如果光吸收好，则有利于雕刻微电路图案。因此，被评价为适用于下一代曝光技术EUV。
然而，它尚未用于存储器制造过程。如果SK海力士通过与Inpria的合作将其商业化，这是存储器行业的首例。
JSR 解释说：“将金属氧化物 PR 用于 EUV，我们可以有效地图案化先进的节点器件架构。Inpria 材料解决方案将降低 EUV 图案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很复杂，需要先进的材料。氧化锡PR将为下一代DRAM提供性能和低成本。”
此前，Lam Research 宣布将为 SK Hynix 提供干式 PR 底层和干式显影工艺设备。该产品由 Lam Research、荷兰 ASML 和比利时 iMac 联合制造。
他们开发的设备在通过沉积过程形成 PR 层中发挥作用。这里使用的材料是无机PR。
据 Lam Research 称，由于它使用的原材料比湿法少 5 到 10 倍，并且可以减少照射的光量，因此很容易降低成本。过去是旋涂法，在旋转晶片的同时用设备滴下有机材料PR，因此在应用过程中存在浪费的部分。
此外，EUV工艺分辨率有望提高。分辨率是一个数字，表示镜头或感光材料能够描绘的细节程度。如果增加分辨率，则有利于实现精细图案。
与此同时，SK海力士宣布其在业界首次成功开发出238层NAND闪存。它正在向客户提供 238 层 512 Gb (Gb) 三级单元 (TLC) 四维 (4D) NAND 样品。预计明年上半年量产。
