【资讯】日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产

1、日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产

2、印芯半导体获得A+轮融资

3、索尼首次推出自动驾驶激光雷达传感器

4、华为公布新的芯片专利

1、日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产

日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品，2025年实现量产。

2、印芯半导体获得A+轮融资

近日，智能机器视觉识别图像传感器芯片研发商——广州印芯半导体技术有限公司宣布完成由云启资本领投的A+轮融资。据智慧芽数据显示，印芯半导体目前共有127件专利申请，近三年专利申请量呈现快速增长的趋势。该公司主要专注在图像传感器、像素单元、读出电路、传感器、像素阵列等技术领域。

3、索尼首次推出自动驾驶激光雷达传感器

索尼集团旗下的索尼半导体解决方案公司首次推出车用高性能激光雷达传感器，将于2022年3月开始供货。新产品IMX459在对角线6.25毫米的芯片上搭载约10万个10平方微米的像素，最远300米处的物体也能够以每15厘米为单位测量距离，价格为1枚1.5万日元（约合人民币835元）。

4、华为公布新的芯片专利

华为技术有限公司在近日公开了“芯片封装组件、电子设备及芯片封装组件的制作方法”专利，公开号为 CN113707623A。本申请通过设置芯片与封装基板的上导电层以及下导电层连接，从而芯片产生的热量可进行双向传导散热，并在上导电层上设置散热部，使得芯片封装组件能够达到更优的散热效果。