存储市场价格风云再起：行情回暖，国产厂商加速崛起

近期，市场多方消息显示，全球存储芯片市场迎来新一轮涨价潮，包括闪迪、美光、三星、SK海力士、美光等多家存储厂商纷纷宣布提价计划。与此同时，国内存储企业佰维存储、中科存储、时创意、北京君正等多家存储厂商也发布了最新动态，展示了他们在技术研发、产能扩张和市场布局方面的最新进展。

01、中科存储：建设1条封装产线和1条测试产线

据株洲新闻网消息，近日，株洲市重点项目中科存储芯片封测项目升级改造项目，目前已完成主体工程建设，包括SMT、前段、后段、SSD测试、芯片测试生产线工程建设等，且已购置3000余万元的先进生产设备，项目进展顺利。

据悉，中科存储芯片封测项目升级改造项目由湖南中科存储科技有限公司投资建设，项目位于天元区天易科技城B4、B5栋。项目总投资3亿元，项目建筑面积为9814平方米。项目主要建设1条封装产线和1条测试产线，在现有集成电路封装、测试产线的基础上，购置新的引线键合机、晶片粘晶机和全自动贴片机等生产设备，完成多层叠Die存储芯片封装测试产线升级改造。

项目建成后，预计年产值约6亿元，销售收入约6亿元，将实现年产3000万颗存储芯片（其中包含单晶元存储芯片、多晶元存储芯片、嵌入式存储芯片和移动存储模组等）。相关产品将广泛应用于智能手机、人工智能、大数据集成终端安全存储、企业存储、移动存储和智能穿戴等领域。

02、佰维存储：积极推进其19亿元定增项目

佰维存储近期动态频频，佰维存储在接受23家机构调研时表示，在嵌入式存储领域，公司BGASSD已通过Google准入供应商名单认证；在PC存储领域，公司SSD产品目前已经进入联想、宏碁、惠普、同方等国内外知名PC厂商，此前佰维存储就表示，其旗下SP406/416系列企业级PCIe4.0SSD、SS621系列企业级SATASSD，与联想服务器完成兼容性测试并获认证，强化企业级市场布局。

技术研发层面，3月初，佰维存储宣布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量验证支持QLC颗粒并针对智能穿戴设备优化功耗，同时具备端到端数据保护能力，适用于车规级应用场景。

据悉，2024年，佰维存储智能穿戴存储业务收入同比大幅增长，2025年将深化与Meta等客户在AI眼镜领域的合作。

今年，佰维存储正积极推进其19亿元定增项目，据该公司3月17日公告显示，公司拟募资总额不超过19亿元，其中8.8亿元用于惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目，10.2亿元用于晶圆级先进封测制造项目。

图片来源：佰维存储公告截图

产能建设方面，据该公司本月中旬公告显示，公司19亿元定增项目获证监会批复，资金将用于惠州先进封测基地扩产及晶圆级先进封测制造项目。其中，惠州基地扩产将提升存储芯片封测及模组产能，晶圆级封测项目则聚焦16层叠Die、超薄Die等先进工艺，为HBM等高端封装技术奠定基础，进一步强化国产存储产业链竞争力。

03、时创意：2024年公司营收超22亿元，正式入驻新总部大厦

2025年初，时创意全面入驻新总部大厦，作为集研发、制造及营销于一体的存储地标性建筑，时创意总部大厦建筑面积达66000㎡，新质智造产线全面投产后，时创意整体产能将提升300%以上。

时创意总部大厦引进超薄研磨、隐形切割、压缩塑封和一体化测试等多项业界领先工艺技术。截止目前，时创意芯片封测年产能达300KK，模组制造年产能达18KK，预计未来3至5年，年产能复合增长率将超过20%。

近日，时创意重磅发布三款全新AI存储产品及解决方案—超高速PCIe 5.0 SSD、高效能内存LPDDR5X以及小尺寸eMMC5.1。其中，S14000 Pro 超高速PCIe 5.0 SSD 采用端到端数据保护及动态写入加速技术，支持 APST NVME自主功率状态转换以降低能耗，专为 AI 模型训练与数据中心场景设计；

LPDDR5X 内存实现 8533Mbps 超高传输速率，相较前代产品性能提升33%、功耗降低25%，契合AI PC与手机的本地化存储需求；小尺寸eMMC5.1则针对AI眼镜、智能手表等智能穿戴设备轻薄设计需求研发，助力实现实时翻译、场景识别、AR交互、健康监测等智能化功能，推动智能穿戴设备向更高水平迈进。

04、北京君正加速DRAM产品迭代，20nm工艺新品蓄势待发

近期，北京君正于投资者互动平台表示，公司正在积极推进DRAM产品的更新迭代，采用20nm工艺的新产品预计将在2025年推出样品，后续还将陆续推出更新工艺的DRAM产品。此外，北京君正还计划在20nm工艺产品之后，继续推进更先进工艺的DRAM产品研发。

而在近期接受机构调研时，就“目前库存情况”相关问询回应称，计算芯片在2023年已经恢复到正常水平，存储芯片备货较多，我们预判2025年行业市场会逐渐回暖，因此也新增了一定的备货。

在车规芯片需求方面，北京君正分析称，“我们看到的情况是，去年国内车规市场是增长的，除了中国大陆，全球大部分地区是下降的，今年我们预计全球大部分地区都会逐渐回暖。”

毛利率方面，北京君正介绍，计算芯片面向消费类市场，毛利率波动比较大，去年前三季在30%以上；存储芯片毛利率在2021年涨价之前正常情况下在30%出头或者30%左右，2021年涨价后有所提高，2022年第四季度逐渐回落，逐渐接近以往的毛利率水平；模拟芯片毛利率基本维持在50%左右，毛利率水平相对较好。

05、江波龙：拟“A+H”上市，2024年营收同增72.48%

3月21日，江波龙正式向香港联交所递交了发行境外上市外资股（H股），并在香港联交所主板挂牌上市的申请。

图片来源：江波龙公告截图

据江波龙2024年年度报告显示，公司去年实现营业收入174.64亿元，同比增长72.48%；净利润4.99亿元，同比增长160.24%；扣非净利润为1.67亿元，同比增长118.88%。

目前，江波龙在产品布局上持续发力，其首颗32Gbit 2D MLC NAND完成流片验证，覆盖SLC/MLC多容量产品，适用于网络通信、安防监控等领域。该公司目前拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线，经营三个主要品牌，分别是FORESEE、Zilia、雷克沙。

06、铨兴科技高端存储产品及AI超大模型训推一体解决方案亮相

今年3月，铨兴科技高端存储产品及AI超大模型训推一体解决方案对外亮相，该方案旨在推动算力平权和普惠化发展，极大助力数据价值释放。

与此同时，铨兴科技董事长黄少娃分享了对AI端侧应用爆发背景下存储产业发展的深刻见解，以及铨兴科技在高端存储领域的创新成果。

据悉，超大模型训推一体解决方案，由“铨兴添翼扩容卡”和“AI link算法平台、训练框架”组成，通过超显存融合技术，添翼AI扩容卡可将显存空间扩大20倍，减少高阶显卡使用数量，仅用少量的中阶显卡，结合AI  link算法平台，实现超大模型本地化部署训推降本90%，推理并发性能提升50%。

此外，铨兴科技凭借其在中高端存储领域的提前布局，推出超大容量122.88TB的企业级固态硬盘，采用PCIe 5.0接口，读取速度高达14,000MB/s，相比于传统SATA eSSD磁碟阵列效能提升28倍，为AI训练推理、大数据中心存储需求赋能。

黄少娃指出，DeepSeek横空出世推动算法平权，而铨兴科技本地化部署降本降能耗解决方案有力推动算力平权。同时铨兴科技的企业级固态硬盘和服务器内存等高端存储产品赋能AI，存力算力软硬件超维融合，推动全民AI普惠时代到来。

07、存储涨价潮来袭？

结合半导体行业供应链及多家媒体消息，多家NAND闪存原厂已提前布局，计划在4月上调产品报价。

据媒体报道，此次存储涨价事件最早可追溯到今年1月，美光新加坡工厂发生断电事故，部分晶圆产能受损。尽管美光未公开说明事故细节，但似乎已影响后续供货。据群联电子董事长潘健成3月12日透露，尽管公司已于2024年12月向美光下单采购，但近期美光出现了意外的交付短缺问题。据供应链消息透露，目前新订单价格平均涨幅约11%。

3月6日，有媒体报道称，闪迪（SanDisk）向客户发出涨价函，宣布自2025年4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的产品提价超过10%。此次调价适用于所有渠道，包括消费端产品，且闪迪表示后续季度可能还会进一步提价。

继闪迪之后，据外媒消息，三星电子和SK海力士也计划从2025年4月起提高NAND闪存价格。另外，3月14日，据市场消息，国内存储大厂长江存储旗下的零售品牌致态计划从2025年4月起上调渠道提货价格，涨幅可能超过10%。

最新消息显示，美光已经向客户发布涨价函，该公司指出，目前存储市场已开始复苏，多个业务领域有着超出预期的需求增长，预计2025年、2026年间持续成长，美光决议将调升产品价格。

对于上述涨价传闻动态，目前上述相关厂商还未有公开表态。

行业人士表示，存储市场此番涨价动作可以追溯到2024年三四季度起，那时三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五大存储原厂开始重启减产措施，以应对市场供过于求的问题。截止至今，市场存储芯片库存已逐渐回归正常水位。

而从需求端来看，近期多家厂商均重申了AI浪潮不断刺激着高端存储需求提升。

闪迪全球产品副总裁Eric Spanneut指出，企业需要为创作者提供适合智能手机的SSD，提供1TB或者2TB的容量。

铠侠电子（中国）副总裁天野竜二指出，随着中国和美国的大型科技公司加大对AI相关领域的资本支出，数据中心建设投入也随之增加，数据中心对NAND闪存的需求非常强劲。铠侠预计，2025年NAND闪存市场将实现超过10%增长。

江波龙则称，展望2025年，预计服务器与车规级市场需求有望延续增长趋势。AI技术在PC、手机、智能穿戴等领域加速渗透，消费电子市场有望迎来新的复苏，并进一步推动对更高容量和更高性能存储产品的需求。

佰维存储表示，下一代信息技术与存储器技术发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等新一代信息技术既是数据的需求者，也是数据的产生者。同时，AI技术革命将提升对高端存储器的需求。

东芯股份则在多个场合表示，随着全球AI市场的快速发展，AI大模型等新兴场景的涌现，对存储需求的增长提供了强劲动力。存储技术更迭和容量提升也将是存储行业的趋势所在，对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功耗等方面都提出了更高的需求。

据TrendForce集邦咨询分析3月17到21日的内存现货价格走势显示，DRAM市场延续先前的强势走势，但买盘焦点出现转移，DDR5需求相较上周略有趋缓，买盘明显集中在DDR4品牌颗粒，尤其是4G/8G的x8与x16颗粒，市场呈现跳空上涨的态势。

总体来看，内存和闪存现货市场价格均在上扬，内存来看，DDR4 1Gx8 3200/2666、DDR4 512x8 2400/2666以及DDR4 512x16 3200/2666部分现货价格上扬。而NAND Flash现货市场方面，Wafer及eMMC皆以跳空上涨的态势推进，市场价格不断垫高。其中eMMC市场买气持续热络，4G、8G、16G需求仍强劲，受市场供需失衡影响，现货商多采取高价策略，几乎不给予议价空间。

尽管如此，部分工厂仍持续释出需求，推动成交价格进一步上扬。供应商惜售态度，买家则在观望与追价之间寻找平衡点。SSD原厂通知涨价及限量后，价格有所回温，但消费端需求仍需观察后续变化。

TrendForce集邦咨询最新调查显示，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。【详情阅读】

NAND Flash领域，随着减产奏效、买方回补库存，预计2025年第二季NAND Flash价格将止跌回稳，Wafer和Client SSD价格则是季增。【详情阅读】

综上所述，当前存储芯片市场呈现出明显的供需变化，特别是在AI技术推动下的高端存储需求增长，为市场带来了新的机遇。