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据透露，SK海力士计划最早在今年6月份向Nvidia出货HBM4（第六代高带宽内存）样品。预计产品供应最早将于第三季度末开始。SK海力士为了抢占下一代HBM市场先机，正加紧准备量产，并将供货计划提前至今年下半年。
据业内人士1月15日透露，SK海力士已定下目标，将在6月初向客户供应HBM4的首个客户样品（CS）。
HBM4 是垂直堆叠多个 DRAM 的下一代存储器。目前第五代产品HBM3E已实现商用。HBM4预计最早将于明年下半年开始量产。
HBM4通过集成2048个I/O（输入/输出端子），即数据传输通道，是上一代产品的两倍，从而最大限度地提高性能。就 Nvidia 而言，原本计划在 2026 年为下一代高性能 GPU“Rubin”系列配备 12 层堆叠 HBM4，但该公司已将计划提前，目标是在 20215年下半年推出。
相应地，SK Hynix也正在加速HBM4的开发。该公司组建了专门的开发团队，为 NVIDIA 供应 HBM4，并于去年第四季度完成了 HBM4 的流片。流片是完成在研究实验室级别进行的半导体设计并将图纸发送至制造过程的过程。
随后，SK海力士也将向客户发送HBM4样品的时间表从今年下半年提前到6月份。据报道，该样品是用于批量生产并供应给客户之前认证的客户样品。其重要意义在于，它标志着 HBM4 量产的最后阶段。
一位知情人士表示，“Nvidia 似乎也有比预期更强烈的意愿提前推出 Rubin，甚至将试产时间推迟到今年下半年，为此，SK海力士等内存公司也在争取尽早供应样品。最早可能在第三季度，将在今年年底前就能供应产品。”
预计HBM4将成为各大存储器厂商在下一代高附加值存储器市场的战场。
三星电子计划在HBM4搭载的DRAM中安装1c（第6代10nm级DRAM）。这被解读为一种在性能上实现差异化的策略，其DRAM比基于1b DRAM的竞争对手SK Hynix和Micron领先一代。
美光近日还在2025财年第一季度（2024年9月至11月）财报中宣布，“计划于2026年开始全面量产HBM4”。
