SK海力士将获4.58亿美元美国芯片补贴

据外媒报道，日前，美国商务部宣布，已与韩国芯片制造商SK海力士（SK hynix）达成最终协议，根据美国《芯片与科学法案》，SK海力士将获得高达4.58亿美元的直接资金（略高于今年8月份签署的初步合同中所承诺的4.5亿美元），以及高达5亿美元的美国政府支持贷款，用于在美国建设先进芯片封装工厂。

美国商务部称，这笔资金将支持SK海力士投资约38.7亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建立一座高带宽存储器（HBM）封装工厂，以及启动一项先进芯片封装的研发计划。SK海力士是HBM芯片的主要制造商，HBM芯片是用于图形处理单元以提高人工智能处理性能的关键零部件。

美国商务部长Gina Raimondo表示：“通过对SK海力士和西拉斐特进行投资，以及SK海力士与普渡大学的合作，美国将继续加强在全球技术领域的主导地位，并以全球任何其他国家都无法比拟的方式巩固人工智能硬件本土供应链。同时，这笔拨款将支持印第安纳州创造数百个就业机会，并确保印第安纳州在推进美国经济和国家安全方面发挥重要作用。”

SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung表示：“SK海力士期待与美国政府、印第安纳州、普渡大学以及我们的美国商业伙伴合作，以在美国建立一个强大的人工智能半导体供应链。”

根据美国商务部的说法，美国政府已经根据美国《芯片与科学法案》，提供了逾360亿美元计划激励资金中的260亿美元。目前，台积电、英特尔、美光科技、SK海力士和三星电子等主要芯片企业都已经与美国商务部签订了直接补贴合同。据悉，英特尔将获得78.6亿美元的美国联邦补贴，台积电将获得66亿美元，美光科技将获得61亿美元，三星电子将获得47.45亿美元。