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SK海力士决定采用3纳米代工工艺生产明年下半年量产的定制化HBM4，全力进军美国市场。这意味着该公司将集中精力开发和量产具有 NVIDIA 和 Google 等美国人工智能 (AI) 加速器公司所寻求的最佳规格的产品。换句话说，这意味着他们将放弃低性能HBM市场。
随着美国商务部12越2日正式禁止HBM对华出口，众所周知，对华出口量超过SK海力士的三星电子也正在竭尽全力通过提高HBM4性能来吸引美国企业作为客户。有预测称，SK海力士与三星电子之间围绕HBM4的技术开发竞争将会加剧。
据业内人士3日透露，SK海力士决定采用定制化的3纳米代工工艺和通用化的12纳米代工工艺来生产与台积电共同开发的第6代HBM（HBM4）的基础芯片。最初，SK海力士考虑将5nm工艺应用于定制HBM，台积电去年5月在荷兰阿姆斯特丹举行的“台积电欧洲技术研讨会”上宣布，将采用12纳米（通用）和5纳米（定制）工艺进行HBM4基片生产。
在 HBM4 中，基础芯片是连接图形处理单元 (GPU) 和 HBM 的关键组件。直到HBM3E，内存制造商SK Hynix自己制作了基础模具，但从HBM4开始，需要精细加工，因此需要与代工公司合作。考虑到HBM4的性能很大程度上取决于基础芯片的制造方式，SK海力士决定采用与台积电共同开发的最佳工艺。据了解，与5nm相比，使用3nm工艺制造的性能可提高20-30%。
目前，苹果iPhone和MacBook中使用的最新半导体均采用台积电3nm工艺量产。Nvidia的GPU采用4nm工艺生产。由于采用3nm工艺，明年发布的定制版HBM4预计将比HBM3E在性能、功耗等各方面都有大幅升级。
SK海力士之所以采用3nm工艺，是为了响应NVIDIA等客户的需求。NVIDIA正在以“大手笔”采购SK海力士的大部分产品。在 NVIDIA 要求 HBM4 供应计划提前约六个月后，SK 海力士最近提高了生产速度。SK 海力士计划通过尽快提供具有最高性能的定制 HBM 来进一步加强与 NVIDIA 的蜜月关系。
预计明年下半年开放的定制化 HBM4 市场将更加激烈，内存厂商之间的性能竞争将更加激烈。为了继续保持领先地位，SK 海力士正在巩固与台积电和 NVIDIA 的联盟。
定制HBM市场被认为是存储器公司之间最大的战场。SK海力士和三星电子在去年9月的Semicon Taiwan 2024上推出“定制化HBM”作为抢占AI存储器市场的转折点。这是因为，AI时代内存市场的最终赢家很可能将取决于谁能快速提供最高性能的定制化HBM4。
据了解，三星电子已决定采用4nm工艺进行定制化HBM。不过，随着SK海力士决定采用3nm工艺，有分析称三星电子也有可能通过使用台积电的3nm工艺及其代工厂进行反击。
