聊聊倒装芯片（flip chip）的工艺流程

上期，我们介绍了什么是flip chip，见文章：倒装芯片（flip chip）算先进封装吗？

那么倒装芯片的工艺流程是怎样的呢，本期我们来介绍下。

倒装芯片分为两步：

1，第一步是做凸点（bump）,凸点的类型有很多，最常见的有纯锡球，铜柱+锡球，金凸点等类型。

2，第二步是将芯片安放到封装基板上.

具体工艺步骤如下：

Wafer Incoming and Clean —— PI-1 Litho —— Ti/Cu Sputtering(UBM) —— PR-1 Litho ——Ni/Sn-Ag plating —— PR Strip —— UBM Etching —— Reflow

如上图，是bump的一般工艺流程：

1. Wafer Incoming and Clean（晶圆准备与清洗）在开始工艺之前，晶圆表面可能会有无有机物、颗粒、氧化层等污染物，需要进行清洗，用湿法或干法清洗的方式均可。

2. PI-1 Litho（第一层光刻：聚酰亚胺涂层光刻）聚酰亚胺（PI）一种绝缘材料，起到绝缘，支撑的作用。先涂覆在晶圆表面，再进行曝光，显影，最后做出bump的开口位置。

3. Ti / Cu Sputtering (UBM)UBM（Under Bump Metallization），凸点下金属层，主要是导电作用，为后面的电镀做准备。一般是用磁控溅射的方法做出UBM，以Ti/Cu的种子层最为常见。

4. PR-1 Litho（第二层光刻：光刻胶光刻）光刻胶的光刻将决定凸点的形状和尺寸，这一步是打开待电镀的区域。

5. Sn-Ag Plating（锡-银电镀）使用电镀工艺在开口位置沉积锡银合金（Sn-Ag），形成凸点。此时的凸点未经回流并不是球形的。

6. PR Strip（去除光刻胶）完成电镀后，去除剩余的光刻胶（PR），露出之前覆盖的金属种子层。

7. UBM Etching（UBM蚀刻）去除除凸点区域以外的 UBM 金属层（Ti/Cu），只保留在凸点下方的金属。

8. Reflow（回流焊）过回流焊，使锡银合金层熔化并重新流动，形成光滑的焊球形状。

9. 芯片安放

回流焊完成后，bump形成，之后进行芯片的安放，如上图步骤。至此，倒装工片工艺结束。

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