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9月25日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心一张幻灯片一发布，会议室里的半导体行业人士就议论纷纷。这是因为 SK 海力士披露了有关其高带宽内存（HBM）的重要信息——“TAT 8.8 ：1。”
在半导体行业中，将硅晶圆经过整个流程并形成成品芯片所需的时间称为 TAT（周转时间）。业内普遍认为HBM的TAT为3~4个月。制造HBM的方法主要有两种，即堆叠DRAM制成的芯片，“三巨头”中，三星电子和美光使用TC-NCF工艺，SK海力士是唯一使用MR-MUF工艺的。
半导体行业相关人士解释说：“假设SK海力士制造HBM需要1小时，那么其他公司需要8.8小时。”与竞争对手相比，SK海力士的HBM生产效率高出8.8倍。
另一位半导体行业人士表示，“如果这是真的，那么三星电子和美光暂时追上SK海力士并不容易。”这一天，英伟达、英特尔、博通、谷歌等全球主要半导体公司人士出席了台积电在硅谷主办的论坛，并观看了SK海力士的发布会。三星电子没有出席本次论坛。
SK海力士通过参加全球最大晶圆代工厂（半导体代工生产）台积电举办的“开放创新平台（OIP）论坛”，展示了双方的合作关系。SK海力士宣布参加9月25日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举办的“OIP生态系统论坛2024”，并介绍了最新的人工智能（AI）内存解决方案。
堆叠 8 块 DRAM 使其成为 8 层 HBM 产品，堆叠 12 块 DRAM 使其成为 12 层 HBM 产品。SK海力士表示，假设其他条件相同，每次使用TC-NCF方法堆叠DRAM所需的时间是MR-MUF方法的1.8倍。半导体行业分析称，SK海力士通过预先堆叠DRAM并立即在一种烤箱中烘烤来制造HBM的方法已经开始拉大差距，其程度超出了最初的预期。
最重要的是，虽然三星电子和美光因良率相对较低以及发热导致的性能问题而仍在努力向 NVIDIA 供应第 5 代 HBM3E，但评估认为 SK 海力士再次向业界透露了对其压倒性 HBM 的信心技术出来了。SK海力士上个月26日宣布将在全球首次量产HBM3E 12层产品，并在3月份向NVIDIA供应HBM3E 8层产品六个月后再次确认交付。
在今天的公告中，SK 海力士重申其政策，即在下一代 HBM4 12 层和 16 层产品中继续使用现有的 MR-MUF 方法。另一方面，三星电子的策略是改进现有的 TC-NCF 方法，并迅速转向“混合键合”，即下一代连接 DRAM 的方法。近日有消息称，三星电子已就HBM3E质量测试进入最后一刻，相关团队进驻英伟达总部。
随着HBM这种高附加值产品的破坏力越来越强，存储器市场的格局转变正在如火如荼地进行。市场研究公司Trend Force预测，HBM在明年DRAM市场收入中的份额将超过30%，高于去年的8%。
还有预测称，HBM市场的领导者SK海力士今年的营业利润将历史上首次超过三星半导体。该证券公司对三星电子半导体部门第三季度营业利润的预测（共识）为5至6.5万亿韩元，低于SK海力士的（6至7万亿韩元）。SK海力士在半导体行业复苏的背景下，在HBM市场占据领先地位，今年上半年营业利润达到8.3545万亿韩元。这一业绩接近三星半导体的营业利润（8.3649万亿韩元），后者的销售额是同期的近两倍。三星电子将于8日公布第三季度临时业绩。
