20nm技术泄密！三星前董事总经理被捕

半导体专家、三星和SK海力士前高管崔振石因技术泄露罪名被捕。

半导体专家、三星电子和SK海力士前高管崔振石（66岁）因涉嫌泄露三星电子关键半导体技术20纳米DRAM工艺技术数据而被捕。此前，崔振石于去年6月被捕并被释放，罪名是窃取三星电子半导体工厂蓝图并建立20纳米DRAM半导体的“三星电子克隆工厂”。

首尔中央地方法院负责逮捕令的金美京院长9月5日对崔振石和三星电子前高级研究员吴某进行了逮捕前审讯(逮捕令实质审查)，发现涉嫌违反《反不正当竞争法》和《商业秘密保护法》，并表示：“他们被签发了逮捕令。”

他们涉嫌将生产 20 纳米半导体所需的 600 步工艺的关键信息（包括温度和压力）泄露给某国。首尔地方警察厅工业技术安全调查组正在调查这些指控，因为这些指控完全超越了三星电子与 20 纳米 DRAM 半导体生产工艺相关的专有技术。

崔振石曾任三星电子董事总经理、SK海力士副总裁。此前，他于去年6月因涉嫌窃取三星电子半导体工厂蓝图、设立20纳米DRAM半导体“三星电子克隆工厂”而被捕，并于去年11月获得保释。

警方于1月15日向吴先生申请逮捕令，但法院以“需要保障辩护权”为由驳回了逮捕令。

随后，警方在进行补充调查后，于2日再次通过首尔中央地方检察厅信息技术犯罪搜查部（安东健科长）申请对吴某的逮捕令。此时，还申请了对崔振石的逮捕令。考虑到犯罪的严重性和损害的规模，检方亲自旁听了逮捕令审查，并解释了刑事指控。