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作者：汤之上隆，编译：编辑部
自从2022年11月Open AI发布了ChatGPT以来，生成式AI（人工智能）在全球范围内迅速普及。这些生成式AI是在搭载了NVIDIA等AI半导体的AI服务器上运行的。
然而，根据TrendForce于去年2023年12月14日发布的预测，AI服务器的出货数量并没有如人们预期的那样增长。AI服务器在所有服务器出货数量中所占比例预测为：2022年为6％，2023年为9％，2024年为13％，2025年为14％，2026年为16％。
关于这个原因，笔者在此前的文章中进行了如下分析：
这个原因可以归结为AI半导体的供应瓶颈。目前，约占AI半导体80％的NVIDIA GPU在台积电进行前后工艺。后端工艺包括了所谓的CoWoS封装，而这种CoWoS的产能成为了瓶颈。
此外，在CoWoS中，GPU周围堆叠了多块HBM（高带宽存储器）DRAM，这种HBM也被认为是瓶颈之一。
那么，为什么台积电的CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）产能一直不足呢？此外，尽管DRAM制造商有三家，即三星、SK海力士和美光，为什么HBM还是不足呢？
本文将对这些细节进行讨论，并且将阐述为什么NVIDIA等AI半导体短缺将持续数年以上。
01、台积电的中间工序是什么？
图 2 显示了 NVIDIA GPU 在台积电的制造方式。首先，在前端过程中，GPU、CPU、内存（DRAM）等是单独制造的。在这里，由于台积电不生产DRAM，因此它很可能从SK海力士等DRAM制造商那里获得HBM。
图2 2.5D-3D界面的中间工序，如NVIDIA GPU 资料来源：Tadashi Kamewada，“下一代半导体封装和封装技术趋势与市场展望”，科技研讨会，2024 年 2 月 6 日 幻灯片
接下来，将 GPU、CPU、HBM 等键合在“硅中介层”上，其中 12 英寸硅晶圆被切割成方形（晶圆上的芯片，即 CoW）。 硅中介层预制有连接芯片和硅通电极 （TSV） 的布线层。
这些工序被称为 "中间工序"。笔者对其中原因的解释是，中间工序被归类为后端工序，但在硅插层上形成的布线层等是使用前端工序的制造设备制造的。“中间工序” 一词之所以被使用，可能就是因为这一中间含义。
中间工序完成后，将中介层连接到基板（基板上的晶圆，即WoS），并进行各种测试以完成CoWoS封装。
图3显示了CoWoS的横截面结构。在形成布线层和 TSV 的硅中介层上，键合了两个逻辑芯片，例如 GPU 和 CPU，以及堆叠了 DRAM 的 HBM。中介层通过C4（受控塌片连接）铜凸块与封装基板连接，基板通过封装球与电路板连接。
图3 CoWoS结构与英伟达GPU等AI半导体的两大瓶颈 资料来源：WikiChip
在这里，我们认为第一个瓶颈是中间工序中的硅中介层，第二个瓶颈是HBM。下面将解释其基本原理。
02、中介层越来越大，HBM的数量也有所增加
图 4 显示了自 2011 年以来 CoWoS 如何经历代际变化。 首先，我们可以看到硅中介层每一代都在变得越来越大，HBM 的搭载数量也在不断增加。
图 4 封装基板面积和HBM搭载数量不断增长 资料来源：K C Yee（TSMC），“Advanced 3D System Integration Technologies”，IEDM SC1,2020 年 12 月 13 日
图 5 显示了从 CoWoS Gen 1 到 Gen 6 的 12 英寸晶圆中安装的逻辑芯片类型、HBM 标准和安装数量、硅中介层面积以及可获得的中介层数量。
图 5 CoWoS 代次、HBM 安装数量、12 英寸晶圆中介层数量
首先，可以看出，自第三代以来，HBM的搭载数量持续增长了1.5倍。 此外，HBM 的标准也发生了变化，性能也得到了提高（稍后会详细介绍）。 此外，随着中介层面积的增加，可以从 12 英寸晶圆获得的中介层数量减少。
但是，该数值只是"12英寸晶圆的面积除以中介层的面积的值"，实际得到的数值会更少。
图 6 举例说明了这一点：2023 年发布的第 6 代 CoWoS 中介层面积为 3400 平方毫米，如果是正方形，则为 58 毫米 x 58 毫米（58 毫米正方形）。如果将这个 58 毫米的正方形铺设在 12 英寸的晶圆上，晶圆边缘的所有中介层都将有缺陷。因此，一个 12 英寸晶圆上最多只能获得 9 个 58 平方毫米的中介层。
图6 12英寸晶圆能获得多少个中介层
资料来源：Tadashi Kamewada，“下一代半导体封装和封装技术趋势和市场展望”，科学与技术研讨会，2024年2月6日
此外，在中介层上形成布线层和TSV，但良率约为60-70%，因此从12英寸晶圆上可以获得的良好中介层数量最多为6个。
顺便提一下，采用这种58平方毫米的中介层制造的CoWoS 的代表性 GPU是英伟达的H100，该产品在市场上备受争夺，售价高达 4 万美元。
03、台积电的CoWoS产能不足
那么，台积电在CoWoS中间工序的产能有多大呢？产能足够吗？
在 2023 年 11 月 14 日举行的 DIGITIMES 研讨会“生成式 AI 浪潮中 2024 年全球服务器市场的机遇与挑战”（Jim Hsiao）上，据估计，其产能将从 2023 年第二季度的每月 1.3 万至 1.5 万片晶圆翻番至 2024 年第二季度的每月 3 万至 3.4 万片晶圆，从而缩小英伟达GPU 的供需缺口。
然而，这种前景还很遥远。 这是因为，截至 2024 年 4 月，NVIDIA 仍然没有足够的 GPU。 而TrendForce集邦咨询在4月16日的新闻中表示，到2024年底，台积电的CoWoS产能将达到每月40K左右，到2025年底将翻一番。毕竟，台积电的中间工序产能是不够的。
此外，TrendForce 的这则消息还提到，继 "H100 "之后，台积电还将推出下一代 "B100 "和 "B200"，而这些中介层的尺寸可能比 58 平方毫米的还要大。这意味着，从12英寸晶圆上可以获得的优质中介层数量将进一步减少，因此即使台积电拼命尝试增加CoWoS产能，也无法拥有足够的GPU来满足需求。可以说，这款GPU CoWoS中介层的巨大需求和台积电产能的增加，无论走多远都是一场“猫捉老鼠的游戏”，是一场永无止境的比赛。
为了结束这种“猫捉老鼠的游戏”，有人建议使用515×510毫米的方形基板代替12英寸晶圆作为中介层。此外，英特尔公司还提议使用矩形玻璃基板。当然，如果可以使用大型矩形基板，则可以比圆形12英寸晶圆更有效地获得大量中介层。
然而，要在矩形基板上形成布线层和TSV，需要专门的制造设备和运输系统。考虑到这些准备工作耗时长、成本高、难度大，因此目前看来“猫捉老鼠的游戏”并没有尽快解决的好办法。
现在，我想解释一下HBM的情况，这是另一个瓶颈。
04、HBM的路线图和DRAM制造商的命运
如图 4 和图 5 所示，HBM 的数量随着 CoWoS 的产生而增加，这也导致了中介层面积的扩张。DRAM 制造商仅仅按照相同的标准制造 HBM 是不够的：随着 CoWoS 的发展，他们必须提高 HBM 各方面的性能。HBM 路线图如图 7 所示。
图 7：HBM 路线图和 HBM 堆叠的 DRAM 数量
来源：报告“HBM 技术与容量发展”（2024 年 1 月），DIGI TIMES Research，“HBM 技术与容量发展”（2024 年 1 月）
首先，HBM 必须提高每秒交换数据的带宽，以配合 GPU 性能的提高。具体来说，2016 年 HBM1 的带宽为 128 GB/s，而 HBM3E 的带宽将扩大约 10 倍，达到 1150 GB/s，将于 2024 年发布。
接下来，HBM 的内存容量 （GB） 必须增加。 为此，有必要将堆叠在 HBM 中的 DRAM 芯片数量从 4 个增加到 12 个。下一代 HBM4 的 DRAM 层数预计将达到 16 层。
此外，HBM 的 I/O 速度 （GB/s） 也必须提高。为了同时实现所有这些目标，我们必须不惜一切代价实现DRAM的小型化。图8显示了按技术节点划分的DRAM销售比例的变化。2024 年将是从 1z （15.6 nm） 切换到 1α （13.8 nm） 的一年。 之后，小型化将以 1 nm 的增量进行，例如 1β （12.3 nm）、1γ （11.2 nm） 和 1δ （10 nm）。 这可能是DRAM厂商的命运。
图8 按技术节点划分的DRAM销售额百分比（%） 来源：作者根据Yole Intelligence的数据创建
请注意，括号中的数值是该代 DRAM 芯片中实际存在的最小加工尺寸。如今，器件分离的半间距（hp）是最小的，因此该尺寸已成为技术节点。 另一方面，例如在逻辑芯片中，即使台积电说它正在批量生产 3 纳米的芯片，但在芯片的任何地方都找不到 3 纳米的证据。换句话说，逻辑芯片的技术节点只是一个产品名称。
05、EUV也开始应用于DRAM
话题有些偏离，但DRAM制造商为了实现高度集成和高速化，确实需要进行1纳米级微细化。因此，为了形成微细图案，已经开始应用EUV（极紫外光）光刻技术（见图9）。
图9 各DRAM制造商应用EUV的层数 来源：基于Yole Intelligence的数据创作
最早开始在DRAM中使用EUV技术的是三星，他们在Gen 1z只应用了一层。然而，这只是三星的逻辑芯片厂为了进行EUV应用的练习而借用的一个巨大的DRAM生产线，最大产量为每月1万块。因此，三星真正意义上开始在DRAM中使用EUV是从1α开始的，那时他们使用了5层EUV。
接下来，拥有HBM市场份额领先地位的SK海力士在1α时期应用了一层EUV。而今年2024年，他们计划转向1β，似乎打算在3-4层上应用EUV。因此，此前只拥有几台EUV的SK海力士计划在2024年引入10台EUV。值得一提的是，由于三星还有逻辑芯片厂，他们可能拥有30台以上的EUV。
最后，美光为了尽快推进技术节点，一直采取尽量不使用EUV的策略。实际上，他们在1β阶段也不使用EUV。此外，在1γ开发阶段，原计划也不使用EUV，而是采用ArF液浸+多重曝光技术，但由于技术上的难度逐渐增加，同时生产率的提升也变得困难，因此预计从1γ开始引入EUV。
这三家DRAM制造商目前使用的（或计划使用的）EUV的镜头开口数（NA）为0.33，但预计在2027年至2028年后期会考虑转向High NA。这样，DRAM制造商的微细化将持续不断。
那么，使用这样的最先进工艺，将能够生产多少HBM呢？
06、DRAM出货额和HBM出货额
在图10中，显示了DRAM出货额、HBM出货额以及HBM占DRAM出货额比例。正如前文所述，ChatGPT于2022年11月发布，并且结果是，2023年NVIDIA的GPU大获成功。
图10 DRAM出货额、HBM出货额、HBM比例（％）来源：基于Yole Intelligence数据，作者制作
与此同时，HBM出货额也迅速增长。2022年HBM出货额为27.5亿美元（占3.4％），到了2023年增长了近两倍，达到54.5亿美元（占10.7％），2024年更是急剧增长到140.6亿美元（占19.4％）以上（括号内为HBM占DRAM出货额比例）。
关注DRAM出货额，可以看到在2021年因冠状病毒特需而达到顶峰，但到了2023年，特需结束后出货额大幅下降。之后，出货额逐渐回升，预计到2025年将超过2021年的峰值。而在2026年后，尽管会有些许波动，但将持续增长，预计到2029年将超过1500亿美元。
另一方面，预计HBM出货额将在2025年后继续增长，但HBM占DRAM出货额比例在2027年后将饱和在24-25％。这是为什么呢？
07、各种HBM的出货量和HBM的总出货量
通过查看图 11 所示的各种 HBM 的出货量以及HBM出货总量的变化，可以解开这个谜团。
图11 各种HBM的出货量以及HBM的出货总量来源：基于Yole Intelligence数据，作者制作
首先，到2022年为止，主要出货的是HBM2。接着，在NVIDIA的GPU于2023年大热之后，HBM2E取代HBM2成为主角。然后，在2024年到2025年之间，HBM3将成为主流。再者，到2026年到2027年之间，HBM3E的出货量最多，而2028年开始则由HBM4主导。
也就是说，HBM大致上以两年为周期进行世代更替。这意味着DRAM制造商不仅需要在微细化方面以1纳米为单位前进，还需要每两年更新一次HBM的规格。
因此，从图11可以明显看出，HBM的出货总量在2025年后几乎没有增长。这并不是DRAM制造商懈怠的结果，而是因为他们需要全力生产最先进的DRAM，同时还要制造最先进的HBM。
此外，导致HBM出货总量在2025年后增长不大的原因之一是，堆叠在HBM内的DRAM芯片数量增加了（见图12）。随着GPU性能的提升，HBM的内存容量（GB）也必须增加，因此HBM内的DRAM堆叠层数从HBM2和HBM2E的4至8层增加到HBM3和HBM3E的8至12层，最后到HBM4则为16层。
图12 各种HBM的内存容量（GB）以及HBM内的DRAM芯片堆叠层数 来源：基于Yole Intelligence数据，作者制作
也就是说，HBM2只需要4至8层DRAM，但到了HBM4则需要2至4倍的16层DRAM。因此，DRAM制造商在HBM4时代可能会生产2至4倍于HBM2时代的DRAM，但HBM的出货量可能会保持相同水平。
综上所述，由于DRAM持续以1纳米为单位进行微细化，HBM大约每两年进行世代更替，以及HBM内的DRAM随着世代增加，预计2025年后HBM的出货总量将达到饱和。
那么，HBM短缺会持续下去吗？DRAM制造商不能进一步增加HBM的出货量吗？
08、DRAM制造商迫切希望大规模生产HBM
虽然已经解释了DRAM制造商无法迅速增加HBM出货量的原因，但即便如此，DRAM制造商仍将挑战其极限，全力以赴地量产HBM。这是因为HBM的价格非常高昂。
图13展示了各种HBM和常规DRAM每GB平均价格的对比图表。无论是常规DRAM还是HBM，它们在发布时的每GB价格都是最高的。虽然趋势相同，但常规DRAM和HBM每GB的价格相差20倍以上。需要注意的是，在图13中，为了比较常规DRAM和HBM每GB的平均价格，将常规DRAM的价格放大了10倍并标记在图表上。
图13 各种HBM和常规DRAM每GB平均价格的对比 来源：基于Yole Intelligence数据，作者制作
直接比较发布后价格最高的情况，常规DRAM每GB的价格为0.49美元，而HBM2为其约23倍的11.4美元，HBM2E为约28倍的13.6美元，HBM4则为30倍的14.7美元。
此外，图14展示了各种HBM的平均价格图表。在价格最高的情况下，HBM2为73美元，HBM2E为157美元，HBM3为233美元，HBM3E为372美元，而HBM4则高达560美元。
图14 各种HBM和常规DRAM每GB平均价格的对比 来源：基于Yole Intelligence数据，作者制作
图15显示了HBM的价格有多昂贵。例如，DRAM制造商在1z工艺下生产的DDR5 16GB的DRAM的价格最多为3至4美元。然而，今年（2024年），SK 海力士发布的HBM3E却高达其90至120倍的361美元。
需要说明的是，DDR（Double Data Rate）是内存标准的一种。数据传输速度越来越快，DDR5比DDR4快2倍，DDR6比DDR5快2倍。2024年是从DDR4转向DDR5的一年，DRAM制造商需要不断更新DDR标准。
图15 各种半导体的工艺、芯片尺寸、晶体管数量（位数）、平均价格的对比
回到HBM，HBM3E使用TSMC最先进的3nm工艺生产，与最新款“iPhone 15”用的“A17 Bionic” AP（应用处理器）几乎相同的芯片尺寸，但价格高达其3.6倍。相比于先进的逻辑芯片，DRAM的HBM更昂贵，这令人震惊。因此，由于这种高昂的价格，DRAM制造商将全力以赴增加HBM的出货量，以夺取HBM的主导地位。
让我们来看看三家DRAM制造商的路线图。
09、DRAM制造商争夺HBM
图16展示了在2015年至2024年期间，三家DRAM制造商是如何生产HBM的。
图16 SK 海力士、Samsung、Micron的HBM路线图 来源：DIGITIMES Research, ”HBM Technology and capacity development”（2024年1月）报告中的图表
首先成功量产HBM1的是SK海力士。
然而，在HBM2时代，三星比SK海力士更早实现了量产。然后，在2023年NVIDIA的GPU大获成功时，SK海力士恰巧比其他公司更早实现了HBM3的量产。这使得SK 海力士获得了巨大利益。结果，DRAM冠军三星落后了。
另一方面，另一家DRAM制造商美光最初开发的是与HBM不同的HMC（混合内存立方体）标准。然而，美国半导体标准化推进组织JEDEC（联合电子设备工程委员会）正式认证了HBM而非HMC的标准。因此，美光从2018年开始放弃了HMC的开发，并在大幅落后于韩国两家制造商之后参与了HBM的开发。
根据2024年3月20日Bloomberg的报道，HBM的市场中，SK海力士占54％，三星占41％，美光占5％。
市场份额排名第一的SK海力士于2023年在NAND工厂M15开始生产HBM。此外，他们计划在2024年上半年发布HBM3E。而在2025年，他们计划将目前正在建设中的M15X工厂改造为专用的HBM工厂，用于生产HBM3E和HBM4。
另一方面，希望赶上SK海力士的三星于2023年开始在Samsung Display工厂生产HBM，并计划在2024年将HBM产能扩大两倍，在2025年比SK海力士更早开始量产HBM4。
落后的美光则跳过了HBM3，计划在2024至2025年通过HBM3E竞争，并在2025年争取获得20％的市场份额。此外，在2027至2028年间，他们计划通过量产HBM4和HBM4E来赶上领先的韩国两家制造商。
通过三家DRAM制造商的激烈竞争，可能打破HBM出货总量饱和的状态，从而有望解决HBM短缺问题。
10、NVIDIA的GPU短缺会持续多久？
本文解释了全球范围内NVIDIA GPU等AI半导体短缺的原因。这些原因可以总结为以下两点：
1）NVIDIA的GPU采用台积电的CoWoS封装技术。然而，CoWoS的产能完全不足。原因在于，GPU、CPU、HBM等芯片所搭载的硅中介层随着世代更新而变得越来越大。台积电正试图增加这种中间工艺的产能，但随着GPU世代的更新，中介层也会变得更大，这可能导致一直处于“你追我赶”的状态。
2）搭载在CoWoS中的HBM也存在短缺。原因是，DRAM制造商不仅需要以1nm的微细度进行持续缩小，还必须每两年更新一次HBM的规格，同时随着世代的变化，HBM中的DRAM芯片也在增加。DRAM制造商正在全力生产HBM，但据预测，到2025年后HBM的供应将达到饱和。然而，由于HBM价格极高，DRAM制造商正展开激烈的竞争，这可能有助于解决HBM短缺问题。
因此，导致NVIDIA的GPU短缺的瓶颈问题包括台积电中间工艺产能不足和HBM短缺这两点，但这些问题短时间内很难解决。因此，预计NVIDIA的GPU短缺将持续数年（甚至更长时间？）。
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