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SK海力士“狂飙”,HBM是“救命良药”

02/08 09:10
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作者:九林

最近,SK海力士披露了亮眼的第四季度财报,2023年第四季度实现扭亏为盈,当季营业利润3460亿韩元(约合2.6亿美元),而上年同期营业亏损1.91万亿韩元。这意味着,SK海力士成功摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。

相比之下,同为韩国半导体巨头的三星,业绩却不尽如人意。数据显示,三星电子去年销售额为258.16万亿韩元(1.4万亿元人民币),同比下滑14.58%。受半导体部门业绩不佳影响,三星电子全年营业利润时隔15年再次跌至10万亿韩元(544亿元人民币)以下。

近一年来,SK海力士的表现可谓可圈可点,仅用了一年时间结束亏损,SK海力士靠的是什么“救命良方”?

SK海力士的业绩情况

财报来看,SK海力士去年Q4营收同比增长47%至11.31万亿韩元,高于分析师预期的10.4万亿韩元。

运营利润3460.3亿韩元,好于分析师预期的亏损1699.1亿韩元,好于Q3的亏损1.79万亿韩元;净亏损1.38万亿韩元,超过了分析师预期的亏损0.41万亿韩元,但较前一季度亏损大幅缩窄。

另外,Q4毛利润为2.23亿韩元,同比大增9404%;毛利润率为20%,为连续第三个季度回升;EBITDA(税息折旧及摊销前利润)为3.58亿韩元,同比增长99%。

对于财务的增长,SK 海力士解释道,去年第四季度用于AI服务器和移动端的产品需求增长,平均售价(ASP,Average Selling Price)上升等存储器市场环境有所改善。与此同时,公司持续实施以盈利为主的经营活动发挥了效果,仅时隔一年实现了季度业绩扭亏为盈。

从产品方面,SK海力士表示,公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。

回顾2023全年的业绩,SK海力士前三季度营收可以说是一亏再亏。不过,亏损是在持续收敛的。

一季度财报显示,公司收入为5.0881万亿韩元,营业亏损为3.4023万亿韩元,净亏损为2.5855万亿韩元。2023财年第一季度营业亏损率为67%,净亏损率为51%。

当时,SK海力士表示:“第一季度存储器半导体市场持续低迷,需求疲软和产品价格不断下跌导致公司本季度的营业收入环比减少,营业亏损加大。但预计以第一季度为低点,销量逐渐递增,第二季度业绩将有所回升。”

在一季度,SK海力士就决定加大对DDR5和HBM的投入。官方表示,决定注重于以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售,以此提升营业收入。

到了二季度,SK海力士的财报还是处于亏损。

第二季度收入为7.3059万亿韩元,营业亏损为2.8821万亿韩元,净亏损为2.9879万亿韩元。2023财年第二季度营业亏损率为39%,净亏损率为41%。但可以看到,相较于第一季度,亏损率有所收敛,从第一季度的67%下滑为第二季度的39%。

对此,SK 海力士解释道:“随着以ChatGPT为中心的生成式AI市场的扩大,面向AI服务器的存储器需求剧增。因此HBM3和DDR5 DRAM等高端产品销售增加,第二季度营业收入比第一季度增加44%,营业亏损减少15%。”

三季度财报显示,公司的收入为9.0662万亿韩元,营业亏损为1.7920万亿韩元,净亏损为2.1847万亿韩元。2023财年第三季度营业亏损率为20%,净亏损率为24%。持续减少营业损失规模。

可以看到,自从一季度开始陷入亏损后,靠着HBM和DDR5,SK海力士持续向好。

谁是“救命良药”?

HBM成为“印钞机”

正如前文所述,HBM是SK海力士业绩大增的关键之一。

简单介绍一下HBM。HBM的全称是High Bandwidth Memory,意为高带宽存储器,是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM,HBM的作用类似于数据的“中转站”,就是将使用的每一帧,每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中,等待GPU调用。

正如其名,HBM与其他DRAM最大的差别就是拥有超高的带宽。最新的HBM3E,最高每秒可以处理1.15TB(太字节)的数据。而最新的GDDR6的带宽最高只有96GB/s,CPU硬件处理单元的常用外挂存储设备DDR4的带宽更是只有HBM的1/10。可以说,HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品。

AI服务器GPU市场以NVIDIA H100、A100、A800以及AMD MI250、MI250X系列为主,基本都配备了HBM。HBM成本在AI服务器成本中占比排名第三,约占9%,单机ASP(单机平均售价)高达18,000美元。

在2013年,SK海力士与AMD合作开发了世界上的第一个HBM。

与SK 海力士率先入局有关,之后SK 海力士在HBM的路上走得稳稳当当。2018年SK海力士发布第二代HBM产品HBM2;随后2020年SK海力士发布第三代HBM——HBM2E,作为HBM2的扩展版本,性能与容量进一步提升;2021年10月SK海力士成功开发出第四代产品HBM3,并于2022年6月开始量产。2023年,SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E。

可以说从HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E,SK海力士持续领先。SK海力士占据HBM市场50%的份额,三星占比40%,美光占比10%。

在很长一段时间内,SK海力士都是英伟达HBM的独家供应商。2023年SK海力士基本垄断了HBM3供应,今年其HBM3与HBM3E的订单也已售罄。作为英伟达高带宽内存 (HBM)的主要供应商,SK海力士过去一年股价飙升超过50%,市值达到97.27万亿韩元(约合738.40亿美元)。

也正因此,SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung才敢放出豪言:“市场上只有三家HBM供应商。我可以肯定地说,SK海力士在HBM领域是明确的领导者。”

分析师Hwang Min-sung指出:“从2023年第二季度和第四季度开始,SK海力士的HBM就与竞争对手形成显著差异化,第三季度和第四季度差距进一步扩大。与通常的存储器世代需要1.5到2年的时间过渡不同,HBM只需1年的时间即可完成过渡,这为市场领导者SK海力士带来了优势。”

凭借着HBM,SK海力士不仅仅是业绩增长,市场占有率也在迅速增长。据TrendForce统计,SK海力士第三季度以49.6%的市场份额稳居服务器DRAM市场第一,销售额达18.5亿美元,成功挤下三星电子。三星电子以13.13亿美元的销售额排名第二,占据35.2%的市场份额,第三名是美光,销售额为5.6亿美元,市场份额为15.0%。

DDR5成主流

成为SK海力士救命良药的不只是HBM,还有DDR5。

根据Yole Developpement的报告显示,从DDR4到DDR5内存过渡将会非常迅速。DDR5内存大规模应用将在2022年从服务器和企业市场开始,到2023年,消费级的主流市场将广泛采用DDR5内存,无论是台式电脑、笔记本电脑还是手机,都会充分利用新一代内存技术。

得益于服务器市场,2022年DDR5内存的使用率将增加25%,到了2023年,DDR5内存的市场份额会超过50%。2024年至2026年,随着DDR5内存全面被各个市场采用,DDR4内存的市场份额将仅有5%。

但是,对于DDR5,虽然SK海力士是唯一一家全面生产128GB芯片的公司,三星刚刚开始生产,美光则在去年11月才姗姗推出了128GB DDR5。

业界相关人士分析道,SK 海力士1a(第四代 10nm,属于14nm 级)DDR5 DRAM 产品良率高达 90%,远高于竞争对手。一位熟悉SK 海力士的人士表示,“以 1a 标准,SK 海力士的良率已经达到了黄金良率。”

因此,在围绕服务器用 128GB DDR5 等高容量产品的市场中,早期SK 海力士在这一领域中供应了100%的市场量。

抢占HBM先机

目前HBM已经演变到了第五代,甚至第六代HBM4技术也初露头角,但时至今日,HBM3e(第五代)仍旧没有完全应用于产品当中。

既然HBM如此火热,SK海力士也想牢牢抓在手里。

在这一背景下,SK海力士计划在2024年增加资本支出,并将生产重心放在HBM等高端存储产品上。之前公司曾预计,到2030年其HBM出货量将达到每年1亿颗;并决定在2024年预留约10万亿韩元(约合76亿美元)的设施资本支出——相较2023年6万亿-7万亿韩元的预计设施投资,增幅高达43%-67%。

不止SK 海力士,HBM的大蛋糕,存储厂商都看着眼热。

三星对HBM的布局从HBM2开始,目前,三星已经向客户提供了HBM2和HBM2E产品。2016年三星量产HBM2;2020年三星推出了HBM2;2021年2月,三星推出了HBM-PIM(存算一体),将内存半导体和AI处理器合二为一;2022年三星表示HBM3已量产。

韩国日报称,三星电子打破了 SK 海力士为英伟达独家供应 HBM 3 的局面,该公司计划从明年 1 月开始向英伟达提供 HBM3。此前,三星电子已成功向美国 AMD 供应 HBM3 内存。

美光这边,为了改善自己在HBM市场中的被动地位,美光选择了直接跳过第四代HBM即HBM3,直接升级到了第五代。

2023年9月,美光宣布推出HBM3 Gen2(即HBM3E),后续表示计划于 2024 年初开始大批量发货 HBM3 Gen2 内存,同时透露英伟达是主要客户之一。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 也在公司财报电话会议里表示:“我们的 HBM3 Gen2 产品系列的推出引起了客户的浓厚兴趣和热情。”

最新消息显示,英伟达正在规划加入更多的HBM供应商,以完善和健全其供应链管理。除了HBM3和HBM3e以外,HBM4预计将在2026年推出。目前,英伟达和其他CSP(云端业者)在未来的产品应用上,规格和效能都将得到优化。

HBM4在堆栈的层数上,除了现有的12hi(12层)外,还将再往16hi(16层)发展,更高层数预计将带动新堆栈方式的需求增长。机构预测,HBM4 12hi产品将在2026年推出,16hi产品则有望在2027年问世。

HBM的战斗,还在继续。

结语

无论是第五代10nm级DRAM技术,还是HBM等新技术,存储大厂都在持续发力。展望未来,随着5G人工智能云计算等技术的快速发展,高性能内存需求将持续增长。

总的来说,SK海力士业绩向好的背后,是其在HBM和DDR5领域的领先技术和市场布局。SK 海力士业绩向好,也再次体现出创新技术对于半导体厂商的重要性。市场总是不会亏待有创新力的企业。然而,要想保持这一优势并持续增长,SK海力士还需不断创新和适应市场的变化。

在市场回春后,新存储的技术之战,会愈演愈烈。

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