存储芯片，止跌了？

据中国台湾工商时报近日报道，三星已通知暂停存储芯片第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”。

自去年四季度开始，存储芯片厂商持续通过缩减产能的方式来调整市场供需失衡情况。其中，铠侠位于四日市和北上市的工厂削减三成3D NAND闪存产量；美光今年6月底进一步扩大DRAM和NAND减产幅度至近三成；SK海力士7月底再将NAND Flash减产幅度下修5~10%；三星电子也于今年四月宣布加入减产行列，表示“正在大幅降低存储芯片的产量”。

据闪存市场分析，在存储厂商坚定减产、克制低价供应之下，目前，尽管终端销量仍然疲软，但整体存储行情呈现“L”型触底。反映在存储芯片现货市场中，近期已有部分产品报价开始小幅上扬。整体来看，存储现货行情呈现在底部向上震荡、小幅反弹的状态，不过大范围的涨价落地仍要实际需求的支持。

由业界领先的半导体电子信息媒体芯师爷举办的第五届“芯师爷-硬核芯年度活动”，汇聚了百余家中国半导体芯片产业的知名企业、潜力企业。本文精选了2023年参评的多款存储产品，以期为市场提供优质产品选型攻略。

*以下产品排名不分先后

深圳康盈半导体科技有限公司

深圳康盈半导体科技有限公司（以下简称“康盈半导体”）是康佳集团半导体产业的重要组成部分。康盈半导体专注于嵌入式存储芯片、模组、移动存储等产品的研发、设计和销售。

主要产品涵盖eMMC、工业级eMMC、Small PKG.eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、SPI NAND、MRAM、UFS、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、内存条等。

KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存储芯片

KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存储芯片，体积更小，功耗更低，性能更强。符合JEDEC eMMC5.1规范，并支持HS400高速模式。采用153Ball封装，打造8mm x 8.5mm x 0.8mm的超小尺寸，较normal eMMC体积更小，减少PCB板占用空间，适用于小/微型化智能终端设备。

最高容量32GB，但性能优异，数据读取速度高达280MB/s，写入速度高达150MB/s，满足终端小体积、大容量、高性能应用需求。采用高性能闪存，保障系统操作的流畅性、稳定性。智能省电模式，有效提升终端设备续航能力，助力智能手环、智能手表、智能耳机等终端应用微型化、低功耗设计。

东芯半导体股份有限公司

东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

LPDDR4X DSF1G16VAA-4ADI

东芯LPDDR4X具备低功耗、高传输速度等特点，其VDDQ电压低至0.6V，广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品等领域。

芯盛智能科技有限公司

芯盛智能科技有限公司（以下简称“芯盛智能”）成立于2018年，是国内领先的固态存储控制器芯片、模组及解决方案提供商。

自成立以来，芯盛智能始终坚持自主创新理念，推出全球首款基于RISC-V架构的双模主控芯片、根据商密一级国测EAL3安全标准规范设计的PCIe3.0主控芯片、企业级SATA3.0主控芯片及数十款固态存储解决方案，产品覆盖数据中心、边缘计算、工业控制、消费类终端和车载电子等领域。

XT8210控制器芯片

XT8210采用RISC-V开源架构体系，具备PCIe4.0×4高速接口，支持NVMe1.4传输协议，顺序读写可达7000/6000MBps，4K随机读写可达1000K/900K IOPS，全面适配3D TLC和3D QLC颗粒，最大可支持16TB容量；XT8210是国内第一款加码安全的PCIe4.0主控芯片，通过商密二级认证，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等性能，业界领先。

深圳市江波龙电子股份有限公司

深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）成立于1999年，主营业务为半导体存储应用产品的研发。江波龙主要聚焦于存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储芯片设计等核心竞争力，为市场提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。

江波龙拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar（雷克沙）。存储器产品广泛应用于智能手机、智能电视、平板电脑、计算机、通信设备、可穿戴设备、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。

FORESEE XP2200 BGA SSD

XP2200 BGA SSD采用PCIe Gen4×2接口规范与NVMe Express Revision 1.4协议，顺序读写性能最高可达3500MB/s、3400MB/s，随机读写性能最高可达678K IOPS、566K IOPS，目前容量提供128GB、256GB、512GB、1TB选择，可支持-25～85℃、0～70℃两种工作温度方案，以及LDPC、智能温控等功能，主要应用于2 in 1电脑、超薄笔记本、VR虚拟现实、智能汽车、游戏娱乐领域。

FORESEE车规级UFS

FORESEE车规级UFS涵盖64GB/128GB两个主流容量，工作温度为-40℃～105℃（Grade2），并通过AEC-Q100可靠性标准。

FORESEE 车规级UFS采用原厂车规级资源和高品质器件，配合江波龙自研固件算法，以及严苛的可靠性标准验证测试，能够有效确保产品在-40℃~105℃的高低温下长期、稳定、可靠运行的同时，保障数据安全。

合肥大唐存储科技有限公司

合肥大唐存储科技有限公司（简称“大唐存储”），长期致力于存储控制器芯片及安全固件的研发，并提供技术先进的安全存储解决方案，同时，大唐存储拥有自主IC设计能力和底层固件研发能力，可根据用户不同的行业需求进行差异化定制服务。

产品上，大唐存储核心主控在存储行业国际首家通过EAL5+，首家通过国密芯片二级，首家通过金融存储芯片增强级检测。产品分为企业级、商业级和安全加密级固态硬盘，可应用于政务、金融、电信、能源、交通、医疗等行业领域。

DSS510芯片

DSS510芯片，采用28nm工艺制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持国密算法SM2/SM3/SM4；结合大唐存储自研超聚合安全存储技术，将金融级安全防护技术应用于固态存储控制器，实现多芯片合一，在加解密过程中不影响主控性能，使相关产品综合性能大幅提升。在存储行业国际首家通过EAL5+，获国密二级、金融增强级芯片检测，产品获得自主原创设计证书，性能可达到国际大厂水平。

聚辰半导体股份有限公司

聚辰半导体股份有限公司（以下简称“聚辰半导体”）于2009年成立于上海张江，2019年登陆上交所科创板，是一家全球化的芯片设计高新技术企业，在美国硅谷、中国香港、中国台湾、深圳、南京、苏州等地区设有子公司、办事处或销售机构，客户遍布全球。

聚辰曾获评2020年十大中国IC设计公司、2021年度上海市经信委“专精特新”企业、2022年度国家级专精特新“小巨人”企业，并被国家发改委、工信部列入国家鼓励的重点集成电路设计企业清单。

GT25Q40D

GT25Q40D是聚辰基于独具特色的NORD工艺平台开发的具有自主知识产权的NOR Flash芯片，具备高可靠性和快速擦除性能，广泛应用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模组及新能源汽车BMS等领域，在功耗、数据传输速度、LU、ESD等其他关键性能指标方面达到国际前沿水平。

GT25D20E

GT25D20E是聚辰基于独具特色的NORD工艺平台开发的具有自主知识产权的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口、广泛应用于车载摄像头、BLE蓝牙物联网设备等领域、在功耗、数据传输速度、LU、ESD等其他关键性能指标方面达到国际前沿水平。

深圳佰维存储科技股份有限公司

深圳佰维存储科技股份有限公司（以下简称“佰维存储”）成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业。

佰维存储围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。

佰维GP303固态硬盘

GP303选用工业级主控IC和工业级NAND，采用优化升级的硬件设计方案、先进的闪存管理固件算法，历经3000余项测试用例，并结合佰维存储先进制造能力，产品兼具高可靠、长寿命、性能稳定等特点，尤其适用于高低温、异常断电、潮湿、震动和冲击等恶劣环境下的系统运行、数据保存等应用场景。

佰维LPDDR4X工业级宽温存储芯片

佰维LPDDR4X工业级宽温存储芯片采用高品质DRAM颗粒，采用超薄先进封装，在提供超快速度的同时，能够加快多任务处理速度并优化用户体验，结合业内先进的测试机台保证了每颗产品都经历严苛的测试；结合佰维存储先进制造测试能力，产品兼具高可靠、高性能、高耐用、长寿命等特点，容量覆盖从2GB~8GB，主要面向工业类细分市场，宽温工作能力达-40~85℃。

深圳市宏旺微电子有限公司

深圳市宏旺微电子有限公司（以下简称：宏旺微电子）成立于2004年，是一家专注于存储芯片（国家战略产业）设计、研发、封装、测试、销售服务的国家高新技术企业，致力为全球客户提供FLASH和DRAM相关存储产品，如嵌入式存储(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，总部位于深圳南山华侨城，在中国香港、韩国、美国、新加坡等地设有办事机构。

全资子公司诺思特半导体位于汕尾市陆丰市，依托宏旺技术积累和研发能力，提供存储芯片封装、测试、产品制造一站式服务。

IMD512M16R4FCD8TB

产品性能上，该款产品具有小身材、大能量的特点。体积小、轻薄，只有指甲盖那么大，最大可存储512×16的数据；低能耗、高效能。宏旺ICMAX DDR系列产品可以在提高性能、降低总拥有成本的同时减少能耗。无论使用智能终端游戏、办公、还是基于数据存储的海量数据，宏旺ICMAX DDR系列产品能减少发热引起的降频现象。

普冉半导体（上海）股份有限公司

普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉半导体”）是业内排名前列的存储器芯片供应商。

自2016年成立以来，普冉半导体一直专注于非易失性存储器芯片的研发创新，形成了以NOR Flash和EEPROM为核心的存储器芯片产品矩阵，并基于存储器技术优势，推出“存储+”规划和长期战略，积极拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。

Flash存储器芯片P25Q32SN

P25Q32SN是业界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。

P25Q32SN支持1.1V电源系统，具备宽电压范围1.05V~2.00V，可涵盖1.1V、1.2V和1.8V AIOT系统；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 读取功耗约2.86mW，80M DTR 4IO读取功率约4.2mW； 基于极低功耗，为音频、图像等多模态SoC智能主控芯片提供必要性存储辅助，助力元宇宙的国产生态链完善。