• USB 发展困境与突破之路

  USB 自问世后广泛应用，但 2013 年后发展停滞。主要因缺乏通用设备控制器。英飞凌 EZ - USB™ FX10 可解决部分问题，它简化开发流程、提升性能，有望推动 USB 在新兴领域发展，突破当前困境。

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• 用英飞凌的USB-C PD解决方案提高充电性能

  这篇白皮书探讨了USB-C电力传输（PD）解决方案的技术进步和设计考虑，包括拓扑选择、氮化镓（GaN）器件应用和电磁干扰（EMI）缓解策略，以实现高效的充电设备设计。

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• TDM22544D & TDM22545D 双相电源模块

  TDM22544D和TDM22545D 扩展了英飞凌的双相电源模块系列，英飞凌双相电源模块在罩个基板上集成了雨个OptiMOSTM6功率器件，亚集成了雷感和电容。与同等分立多相电源的解决方案相比，双相电源模块将面积减少了40%以上。

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• 集成降压-升压和场效应晶体管的车规级单端口 USB PD 控制器

  EZ-PD™ CCG7SAF 是一款高度集成的单端口 USB Type-C 供电（PD）解决方案，集成了一个降压-升压控制器和两个开关 FET。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 规范。目标应用：车载充电器（主机充电器、后座娱乐系统和后座充电器）。独家：提供初步数据表！

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• 优化高压 GaN 晶体管 PCB 布局的 10 种方法

  高压GaN晶体管的快速开关速度带来了诸多优势，如更高的效率和增加的功率密度。 然而，这也使得 PCB 布局更具挑战性。 多年来，标准的解决方案一直是降低功率器件的开关速度，但这不仅会增加功耗还会降低效率。 很明显这不再是个理想的解决方案。请下载这份独家应用笔记！与我们共同讨论优化布局以获得最佳电气和热性能的策略。  

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• WBG开关在电动驱动系统中的应用

  解锁宽禁带器件在电动驱动系统中的潜力，了解更多相关信息，请查阅我们的白皮书。探索高频开关对效率的影响，发现新兴趋势，并比较硅和宽禁带器件的性能。立即下载白皮书！

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• 无线充电IC（WLC）— 集成了USB Type-C PD 控制器的15 W 发送器

  WLC1115 是一款高度集成、符合 Qi 标准的无线电力发送器，并集成了USB Type-C 电力传输 (PD) 功能。WLC1115 符合适用于15 W 应用程序的最新 Qi 规范。WLC1115 还符合最新的 USB Type-C 和 PD 规范，该器件是高达 15 W 充电应用的理想选择。

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• 无线充电 IC（WLC）— 集成了 USB Type-C PD 控制器的 50 W 发射器

  WLC1150是一款高度集成的无线充电发射器芯片，可在英飞凌高功率私有协议模式下提供50W的功率输出，同时与Qi 1.3.x标准兼容，支持EPP、BPP和PPDE。它是一款高性价比的解决方案，适用于智能音箱、智能手机、显示器支架、集成家具、医疗保健、清洁机器人以及其他一些对防水或防尘有要求的充电应用，功率可达50W。结合Infineon的USB-C充电器解决方案，它提供了一个完整的产品套装，有助于

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• 具有 230 VAC 额定输入和高达2A恒流 (CC) 输出的电动自行车电池充电器的参考设计

  本文档是84W AC-DC 转换器参考设计的工程报告，该参考设计使用了英飞凌的 ICC80QSG 反激式控制器和采用 SOT-223 封装的 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET。通过在外部添加电池安全开关和充电配置文件控制电路，该参考设计板可用于电池充电应用。 请参阅本文档的测试设置和安全信息部分以获取更多信息。

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• 新型NFC标签端控制器，用于紧凑型和无电池物联网

  英飞凌 的 NFC 标签端控制器 NGC1081 是智能传感应用的颠覆者——不再需要电池！

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• 全新EPR规范助力提升基于氮化镓的USB-C适配器和充电器的性能

  随着USB PD 3.1标准[1]的发布，最大功率被提升到了240W。但宽输出电压范围5V至48V给现有的转换器拓扑结构带来了新的挑战。本白皮书提出了AC-DC PFC升压级和DC-DC HFB（混合反激式）级[2]（也称非对称半桥反激式拓扑结构）作为具有宽输入和输出电压范围的USB-PD充电器和适配器的最佳选择。 我们将一个高度集成的新型XDP™控制器XDPS2221作为二合一控制器

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• XENSIV™ - 传输系统中的传感器使用案例

  英飞凌XENSIV强大而可靠的磁性传感器支持传输系统优化，最大限度地提高能源效率，使我们的地球更加洁净。我们强大的传感器可支持客户平台方式（标准化），可靠地减少了客户的质量问题，此外，我们还提供大量稳定的产品组合，使业务得以延续。

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• 服务器和电信应用中的氮化镓技术

  本文将探讨增强型 GaN HEMT 在服务器电源和电信基础设施等高功率应用中的优势。与下一代最佳硅替代品相比，本文将定量地展示，基于 GaN 功率器件的系统能有多大提升。本文还将深入探讨相应拓扑结构、磁性器件选择及开关频率，以充分利用下一代功率器件的优势。

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• 高压 CoolGaNTM GIT HEMT 的可靠性和鉴定

  凭借英飞凌在电力电子领域的专业知识和众多宽禁带 (WBG) 相关 IP 产品系列，高压 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程进步。这些非常耐用、可靠的器件大大改善了即将实现的功率转换开关器件的品质因数 (FoM)。这些器件系统性能出色——实现了更高水平的效率及行业领

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• XENSIV™ – TLE4972 磁性电流传感器

  英飞凌 TLE4972 无芯磁电流传感器产品系列专门满足汽车应用中电流感应的要求。成熟而强大的霍尔技术能够对电流感应的磁场进行准确且高度线性的电流测量。凭借其紧凑的设计，VSON 和 TDSO 封装分别只需要 3.5 x 4.5 mm 和 6 x 5 mm 的空间，诊断模式下也同样适用，因此TLE4972 非常适合混合动力和电池驱动车辆中使用的牵引逆变器等 xEV 应用以及电池主开关。

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• 引擎盖下的智能

  现在的ADAS几乎完全依赖摄像头和激光雷达传感器。它们的缺点是只能探测到直接视线范围内的物体。英飞凌推出了一款具有Reality AI的系统，使汽车具有听觉。该系统基于首个 AEC-Q103-003，是来自英飞凌 XENSIV 系列和 Aurix MCU 的市场上符合汽车标准的 MEMS 麦克风，可以及早检测和定位紧急车辆。该系统还能识别其他道路使用者（行人、非机动车驾驶人、汽车和卡车等），并确定

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• 英飞凌关于 USB-C PD 充电器的建议和解决方案

  充电器领域近期的发展和技术进步使工程师在日常生活中面临新的挑战。更高的效率、相同输出功率下更小的占用空间或相同占用空间下更大的功率是当代充电器设计中的主要挑战之一。在本白皮书中，英飞凌为工程师提供了 USB-C PD 充电领域不同解决方案的概述。文中所描述的每一个解决方案都能帮助工程师实现各种特定的设计目标，如最高的效率、提高性价比或增强设计灵活性。

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• 英飞凌如何控制和保证SiC基功率半导体的可靠性

  英飞凌 CoolSiC™ 基于沟道的碳化硅功率MOSFET代表了功率转换开关器件性能因数（FOM）值的显著提高，具有优异的系统性能。这在许多应用中实现了更高的效率、功率密度和降低的系统成本。这项技术也可以被认为是新的应用程序和拓扑的使能器。

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• 高性能CoolSiC™MOSFET技术具有类似硅的可靠性

  先进的设计活动主要集中在比电阻领域，作为给定技术的主要基准参数。然而，必须在电阻和开关损耗等主要性能指标与实际电力电子设计相关的其他方面（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。

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• CoolSiC™ MOSFET：功率转换系统的革命

  碳化硅（SiC）晶体管越来越多地应用于功率变换器中，对其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅优异的材料特性使快速开关单极性器件的设计成为可能，而不是双极性IGBT器件。因此，只有在低压世界（<600 V）才有可能实现的解决方案，现在在更高的电压下也有可能实现。其好处是更高的效率，更高的开关频率，更好的散热和节省空间，反过来也可以导致整体成本较低。 同时，MOSFET已被普遍接受为选择的概

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