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用英飞凌的USB-C PD解决方案提高充电性能
资源大小:4.63MB
[摘要] 这篇白皮书探讨了USB-C电力传输(PD)解决方案的技术进步和设计考虑,包括拓扑选择、氮化镓(GaN)器件应用和电磁干扰(EMI)缓解策略,以实现高效的充电设备设计。
TDM22544D & TDM22545D 双相电源模块
资源大小:292.96KB
[摘要] TDM22544D和TDM22545D 扩展了英飞凌的双相电源模块系列,英飞凌双相电源模块在罩个基板上集成了雨个OptiMOSTM6功率器件,亚集成了雷感和电容。与同等分立多相电源的解决方案相比,双相电源模块将面积减少了40%以上。
集成降压-升压和场效应晶体管的车规级单端口 USB PD 控制器
资源大小:468.97KB
[摘要] EZ-PD™ CCG7SAF 是一款高度集成的单端口 USB Type-C 供电(PD)解决方案,集成了一个降压-升压控制器和两个开关 FET。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 规范。目标应用:车载充电器(主机
优化高压 GaN 晶体管 PCB 布局的 10 种方法
资源大小:599.09KB
[摘要] 高压GaN晶体管的快速开关速度带来了诸多优势,如更高的效率和增加的功率密度。 然而,这也使得 PCB 布局更具挑战性。 多年来,标准的解决方案一直是降低功率器件的开关速度,但这不仅会增加功耗还会降低效率。 很明显这不再是个理想的解决方
WBG开关在电动驱动系统中的应用
资源大小:2.48MB
[摘要] 解锁宽禁带器件在电动驱动系统中的潜力,了解更多相关信息,请查阅我们的白皮书。探索高频开关对效率的影响,发现新兴趋势,并比较硅和宽禁带器件的性能。立即下载白皮书!
Infineon公司介绍

 

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。

英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

 

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