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“人想多远就能走多远，这是清华人做大事的体现”，李军对朱一明如此评价道。
上世纪七八十年代，存储器的设计制造从美国和日本逐渐兴起；到了 2004 年，存储器行业江山已定，巨头林立。朱一明和他的合作伙伴，清华 1985 级电子系校友舒清明，想在这样的条件下生存和发展，在当时硅谷的专业人士看来几率为零。
在硅谷打拼多年的李军自然知道这一点，影响李俊决定投资朱一明的除了其身上的潜质外，还有众多老师和校友对成就清华在集成电路领域影响力的情结。李军至今还保留着会面之后朱一明给他发的电子邮件，邮件里朱一明预见了芯片产业向亚洲的转移，他相信是时候轮到中国在这个产业里扮演重要角色了。
朱一明（右）、舒清明（左）
在李军及其他天资投资人的帮助下，朱一明和合伙人舒清明以 10 万美元投资起家，在硅谷的一个车库里开始了车库创业。两个资浅工程师带着兼职的团队在几个月的时间里就研制出了存储器样品，传统的静态存储器一个存储单元需要六个晶体管，而他们的创新技术只需要两个——这意味着成本缩小为三分之一，而性能和效率扩大了三倍。
朱一明与兆易创新
2005 年朱一明从美国硅谷回到中国后创办了兆易创新，一开始就选择了中国处于空白地位的存储芯片领域。在他的带领下，公司在技术和市场领域飞速发展，先后推出国内第一颗 Serial Flash 产品、第一颗静态存储器及 IP 技术、第一款 GigaROM 产品，开创了中国存储器制造先河。
2008 年，对兆易创新来说是一个节点，金融危机那场飓风刮得太猛烈，吹倒了半导体行业的大树，树下的小草也不免风雨飘摇。朱一明及团队靠技术实力设计出了大温度范围和高存储密度的产品，战胜了两个美国设计团队，最终获得一家日本公司的订单；同时又得到了来自校友的 2000 多万资助。兆易创新这颗小草在金融危机吹过的时候没有倒下，春风又起时终于迎来新的契机。
2011 年，兆易创新率先打入手机产业链并促使其不断完善，形成了新的产业格局，使手机市场开始大量采用大陆自产的高性价比串行闪存产品。
2012 年手机与嵌入式市场的应用比例已平分千秋，一举跻身串行闪存产品领域世界前 5 名。朱一明多次参与国内领先技术的研发项目，申请国际国内专利 50 余项。
2016 年，公司的销售网络已经遍布中国大陆、中国台湾地区、韩国、美国，英国、日本等地，同年 8 月 18 日，公司在上交所 IPO 上市。
不仅在技术上，在市场上兆易创新也获得认可。截止到 2017 年，兆易创新的 NOR Flash 市场份额高达 8%，全球排名第五。在序列式 NOR Flash 领域，公司更是从 2013 年就已经成为了全球三大供应商之一，累计出货量达到 100 亿颗。
现代信息处理的体系结构是以“一个处理器加无限扩充的存储器”的冯·诺依曼结构发展而来，2017 年全球半导体销售金额为 4200 亿美金，其中仅存储芯片销售就达 1200 亿美金。这也意味着，存储芯片占据整个半导体领域三分之一市场，超过 CPU 所占比重，是半导体行业最重要的分支。
在相当长的一段时间里，受限于技术、资金、专利、人才等制约，中国在存储芯片领域基本处于空白。不过，近几年这一情况正在发生变化，以兆易创新为代表的中国公司正在快速崛起。
朱一明为兆易创新设立的目标是成为“中国的三星电子”。他坦言，是存储芯片行业的天时地利，加上挫折换来的经验，才成就了今天“小有成绩”的兆易创新。
2018 年 7 月 16 日晚间发布公告，董事会收到公司总经理朱一明的书面辞职信。朱一明因工作需要辞去公司总经理职务，仍继续担任公司董事长及董事会相关专业委员会职务。
朱一明是为了什么工作需要辞去兆易创新总经理的职务？他去了哪？此事要从 7 月 16 日，中国大陆第一家存储大厂合肥长鑫宣布正式投片说起。在 7 月 16 日的长鑫存储存储器项目首次投片总结大会上，合肥长鑫董事长、原睿力 CEO 王宁国正式把长鑫存储以及睿力 CEO 的职位交给朱一明。
朱一明与合肥长鑫
去年，我国总计进口了 896 亿美元的存储器，也就是几乎 100%依赖进口，这使得存储器产业被中国列入重点发展的产业之一。但是，对比三星前期宣布将量产新一代的 8Gb LPDDR5 DRAM 存储器的情况，在我国，虽然紫光集团旗下的西安紫光国芯虽然有 DDR3、DDR4 存储器颗粒生产。不过，技术来源是之前已经破产的奇梦达。因此，对于合肥长鑫能开始投产 8Gb LPDDR4 DRAM 存储器来说，可以说是中国厂商在存储器市场上的一次新的突破，使得各界格外关心这件事情。
朱一明（左）、王宁国（右）
朱一明辞去兆易创新 CEO 后，正是为了去接任合肥长鑫存储及睿力 CEO 一职，引领合肥长鑫存储在 DRAM 领域继续突破。由于在半导体领域，存储芯片一直是主战场，本次投片可以说是中国半导体产业的一个重要里程碑。经过合肥市委、集成电路产业基金（大基金）的批准，朱一明将全职担任长鑫存储、睿力 CEO 职位，他承诺在合肥长鑫盈利之前不领一分钱工资、一分钱奖金。
据悉，朱一明与合肥长鑫的缘分始于项目之初。
合肥长鑫 12 吋存储器晶圆制造基地项目又称“506 项目”，传闻是因合肥市及经开区主要领导和朱一明在 2016 年 5 月 6 日研讨合肥的存储器项目发展战略而得名。
该项目包括合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体，其中合肥长鑫为合肥市产业投资控股（集团）有限公司全资子公司。
2017 年 10 月，兆易创新斥资人民币 180 亿元进军 DRAM 市场，与合肥产投签署为期五年协定，双方将在合肥经济技术开发区合作开展 1x 纳米等级 19nm 制程的 12 吋晶圆存储器（含 DRAM）研发项目，预计在 2018 年 12 月 31 日前达到产品良率不低于 10%的目标。而整个合肥长鑫的 DRAM 投资案超过 72 亿美元，工程将分 3 期完成。目前的第 1 期的 12 吋晶圆厂工程，预计投产后可达到月产能 12.5 万片的规模。而这样的产能达到全球 DRAM 存储器产能的 8%市占率。
朱一明与合肥长鑫存储项目自此再多一层密切合作关系，此次接任长鑫存储及睿力 CEO 在业内看来不算意外。
合肥长鑫迈入新发展阶段
在此之前，合肥长鑫存储项目一直由前中芯国际 CEO 王宁国核心团队操刀。
王宁国出生于 1946 年，为美国加利福尼亚大学伯克利分校材料科学及工程系博士，曾担任华虹集团 CEO 及华虹集团附属公司华虹 NEC 董事长、中芯国际 CEO，合肥长鑫存储项目成立后，在王宁国及其核心团队带领下进展顺利。
该项目于 2016 年 5 月 6 日启动、2017 年 3 月工厂一期开工、2018 年 1 月一期厂房建设完成开始设备安装。2018 年 7 月 16 日，合肥长鑫存储项目进行了控片投片总结大会，大会上宣布正式投产。
由于合肥长鑫预计明年上半年进入量产阶段，初期仅少量生产，所以对于市场竞争短期无重大影响，但对于中国 DRAM 产业来说还是跨出了第一步，具有指标性的意义。
项目正值投片、量产的关键时间点，合肥长做出这样的人事调动，一方面与王宁国完成厂房建立接段性任务有关，另一方面也希望藉助过去朱一明在研发及量产销售上的经验，为合肥长鑫未来的发展进行加持，持续执行研发与生产的工作，意味着合肥长鑫存储项目由建厂摸索期进入了以研发、量产、营销为主轴的新阶段。
根据之前长鑫存储、睿力集成电路的 5 年规划：2018 年 1 月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品；2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4；2019 年底实现产能 2 万片 / 月；2020 年开始规划二厂建设；2021 年完成 17 纳米技术研发。此时长鑫存储、睿力集成，正在处于一个进入量产的关键时间点。也因此，这项高层变动广受外界瞩目。
合肥长鑫形势严峻
合肥长鑫步入试产阶段，量产预计落在明年上半年。作为国内第一家步入先进技术投片阶段的存储器厂商，合肥长鑫展示了自身的实力。合肥长鑫此次投片的 8GB LPDDR4 属于 19nm DRAM 工艺，在 12 英寸的硅片上可以制作 900 个产品，第一次投片成品率力争 10%。
当合肥长鑫成功实现存储器的自主生产、产量达到 50000 片以后，三星或将从两方面对其进行打压。“三星会发起‘专利争夺’。在存储器领域，三星已经积攒了很多年的经验与成果，其专利的覆盖面非常大。对于刚刚起步的合肥长鑫来说，存在着很大的压力。
中国半导体发展至今不过数载，所以 IP 的累积绝对是当务之急，此举除了可以保护自身的权益外，也可避免国际大厂用专利权诉讼来阻挡中国半导体领域的发展。
除了专利争夺，价格博弈也是三星的一大优势。一旦合肥长鑫做的风生水起，三星很大概率会通过降低产品价格进行市场争夺。
所以降低成本会是中国存储器厂商未来面对的一个很大问题。在存储器大幅缺货的情况下，合肥长鑫等新玩家的加入将有助于抑制价格的涨幅。合肥长鑫将重点放在中国半导体领域的发展，以未来能够达到自主研发与生产为目标。加上中国品牌手机如华为、OPPO、VIVO 以及小米在全球市场已经有一定的份额，如未来能采用合肥长鑫的产品必能有相辅相成的效果。
研究公司 Cinno 的分析师 Sean Yang 表示，像合肥长鑫这样的中国新玩家在 DRAM 市场上崭露头角仍有较大挑战。三星、SK 海力士和美光几乎控制了所有重要的 DRAM 专利，如果一切顺利，长鑫可能会在 2020 年后开始对市场产生影响。
可以看到，在未来几年，合肥长鑫等本土企业还会面临非常严峻的形势。能否度过难关，发展壮大，政府的定力以及企业的自主创新能力都有着重要的作用。
我们希望朱一明能够坚持打造一家“中国的三星电子”的梦想，帮助合肥长鑫取得进一步的发展和突破，任重道远，砥砺前行。
毕竟，人想多远就能走多远，是清华人做大事的体现。
朱一明简历
朱一明出生于 1972 年，先后在清华大学、纽约州立大学石溪分校获得物理学硕士学位和电子工程系硕士学位；
1997 年 7 月 -1998 年 7 月任职北京安美消防技术服务公司；
1998 年 8 月 -2000 年 5 月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；
2000 年 6 月 -2001 年 5 月 iPolicy Networks Inc. 任资深工程师；
2001 年 6 月 -2004 年 11 月 Monolithic System Technologies Inc. 任项目主管；
2004 年于美国创办 GigaDevice Semiconductor Inc；
2005 年，在美国硅谷实战多年的朱一明回国创立北京芯技佳易微电子科技有限公司，后更名为兆易创新；
2010 年，朱一明入选北京“海聚工程”和中央“千人计划”，并被授予国家级“特聘专家”；
2016 年 8 月兆易创新在上海交易所上市，为国内主要 NOR Flash 厂商。
2018 年 7 月辞去兆易创新总经理职位，接任合肥长鑫、睿力 CEO 一职 ...
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