背散射电子分类 背散射电子和二次电子的区别

在材料表面分析中，常用的电子探针包括背散射电子和二次电子。他们有着不同的物理特性，理解它们之间的区别对于正确地应用和解释表面分析结果至关重要。

1.背散射电子的分类

背散射电子是一种能量低、散射角度大的电子，在材料表面进行测量时，通过底部衍射器从样品反射的电子被检测到。背散射电子可以按其散射深度和散射角度进行分类：

• 浅层背散射电子（shallow-backscattered electrons, S-BSEs）：由于只散射了较浅的电子而产生的信号。
• 深层背散射电子（deep-backscattered electrons, D-BSEs）：散射角度较大且涉及更深的物质。
• 侧向背散射电子（lateral-backscattered electrons, L-BSEs）：相对于表面平行方向发生散射的电子。

2.背散射电子和二次电子的区别

和背散射电子不同，二次电子是由束缚在原子中的电子被高能电子轰击后逸出而产生的信号。以下是背散射电子和二次电子的主要区别：

• 来源：背散射电子来自于材料表面以下约10 nm左右深度处的电子，而二次电子则是通过电子打击表面时释放的表面电子。
• 成像模式：背散射电子可以提供更好的深度信息，成像过程比较稳定，不容易受到表面的形貌影响，但其成像深度有一定局限性；而二次电子成像可提供更高的表面拓扑信息，但其深度分辨率相对较差。
• 信号强度：在相同的探测条件下，背散射电子常常比二次电子具有更高的信噪比和信号强度，这个差异在高原子序数材料中更加明显。