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这是关于LDMOS技术的两篇系列论文的第二部分（请参阅《了解LDMOS器件基础知识》AN1226），将通过MOS本征器件特性来解释LDMOS电路级性能。理解电流横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术对于在高功率射频电路中最佳使用这些器件是必要的。射频电路设计师必须了解电路性能与器件特性之间的关系，超出一阶近似。这些高阶器件关系可以提供关于许多常见器件参数及其相互依赖性的见解，并更重要的是，使设计工程师能够更有效地监控半导体制造过程。
通常情况下，对于LDMOS器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），通道是首要重要的。通道是在器件体内创建的倒置层，它在电气上连接源极和漏极，就像这个系列的第一部分所描述的那样。通道的尺寸和掺杂情况确定了正向跨导（gfs），并对最终影响射频功率增益和频率响应的与体有关的电容做出贡献。体掺杂剖面对于器件的耐用性和可靠性至关重要。自从引入LDMOS器件用于高压商业射频应用以来，器件尺寸从超微米逐渐发展到亚微米，仅在短短几年内取得了进展。
这一进展预示着未来LDMOS的发展，并且值得注意的是，在一微米以下的器件尺寸缩小并没有必然遵循传统的缩放规律。
射频MOSFET的规格表中包含许多参数，这些参数将在电路设计和性能标准的背景下解释。这里所列出的设备参数的顺序并不表示相对重要性。
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