EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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SWPA6045S4R7MT | 1 | Sunlord | General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, 2424 |
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暂无数据 | 查看 | |
CRCW060347K0FKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 47000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$0.11 | 查看 | |
104M06QC22 | 1 | Cornell Dubilier Electronics Inc | RC Network, Bussed, 0.5W, 22ohm, 600V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$12.12 | 查看 |
12/16 16:38
12/16 15:51
12/16 15:20
12/16 14:13
10/26 09:45
10/26 09:41
10/26 09:38
10/25 09:39
10/24 13:38
10/24 13:37
10/24 13:36
10/24 13:33
10/24 13:04
10/24 13:01
10/24 13:00
10/24 13:00
10/24 13:00
10/24 12:58
10/24 12:58
10/24 12:53