EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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LL4148-GS18 | 1 | Vishay Intertechnologies | Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.12 | 查看 | |
PMR209ME6470M100R30 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$5.23 | 查看 | |
0050579404 | 1 | Molex | Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Female, Crimp Terminal, ROHS AND REACH COMPLIANT |
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$0.71 | 查看 |
10/26 09:45
10/26 09:41
10/26 09:38
10/25 09:39
10/24 13:38
10/24 13:37
10/24 13:36
10/24 13:33
10/24 13:04
10/24 13:01
10/24 13:00
10/24 13:00
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10/24 12:58
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