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半导体行业装配线上的EOS最佳实践

2023/04/25
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EOS备注:

• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。

• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。

• EOS的损坏本身不是根本原因!

• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。

• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。

• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。

• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。

• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。

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SWPA6045S4R7MT 1 Sunlord General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, 2424
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CRCW060347K0FKEA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 47000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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104M06QC22 1 Cornell Dubilier Electronics Inc RC Network, Bussed, 0.5W, 22ohm, 600V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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