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Proximity Sensors AN000607OLED近距离设计考虑因素的背后产品文档

2023/04/25
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艾迈斯半导体接近传感器的工作原理是脉冲红外发射器红外发光二极管(IR-LED)或垂直腔面发射激光器(VCSEL),并测量从目标返回的反射能量。反射能量与目标距离成反比,与目标尺寸和反射率成正比。窄边框和无边框智能手机设计的趋势带来了新的挑战,超越了在宽边框上使用红外墨水孔的传统接近系统设计所面临的挑战。窄边框和无边框设计通常要求将接近传感器放置在OLED(BOLED)后面。本应用笔记将介绍BOLED接近系统的实现选项。

传统的接近传感器模块由单个器件中的发射器和检测器组成,并在两者之间包括隔离栅。这些模块在红外墨水孔径后面的边框下使用时非常出色,但在BOLED应用中,它们限制了发射器类型、发射器位置、发射器数量等的灵活性。采用较小封装光电二极管与分立发射器(IR-LED或VCSEL)配对可能是克服任何灵活性限制的更好选择。艾迈斯半导体的一个热门选择是TCS3708。这是一款采用FN封装的小型器件,非常适合BOLED应用。但是,为了实现最佳的接近感应性能,需要特殊的设计考虑因素。

OLED显示器的红外透射率本身就很低,这主要是由于存在所需的金属化层。为了将反射的红外能量通过显示器传递到光电二极管,必须去除显示器底部的任何非必要的红外阻挡材料(保护屏障、铜、胶水等),以在显示器的底部形成一个孔径。应优化该孔径的设计和形状,以最大限度地接近信号并尽量减少串扰。优化的显示光圈是与设备的包装(或橡胶套)孔径,形状相同,但略微超大。传感器的理想孔径设计将考虑传感器的视场 (FOV)、护套厚度、气隙、机械公差、装配公差等。上述准则同样适用于发射器照明场 (FOI)。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
NDT3055L 1 Fairchild Semiconductor Corporation Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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RC0603FR-07100KL 1 YAGEO Corporation Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 100000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
$0.08 查看
NSVBAT54HT1G 1 onsemi 200 mA, 30 V, Schottky Diode, SOD-323 2 LEAD, 3000-REEL

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艾迈斯欧司朗

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ams OSRAM Group 母公司是 ams AG 的上市公司 OSRAM Licht AG,是全球领先的光学解决方案供应商。公司在全球约有 27,000 名员工,专注于传感、照明和可视化方面的创新,以使旅程更安全、医疗诊断更准确,并帮助人位在日常交流中获得更丰富的体验。公司拥有超过 110 年的综合历史,凭借其超凡的想象力、深厚的工程专业知识以及在传感器和光技术方面提供全球工业产品的能力,确立了其牢不可破的地位。

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