武汉华为光芯片工厂封顶，海思造芯第一枪？

武汉华为光工厂项目（二期）正式封顶

据中建八局官方消息，华为国内首个芯片厂房——武汉华为光工厂项目 (二期) 已于 11 月 30 日顺利完成主体结构封顶。

图源 | 微博

当天参加封顶仪式的有华为技术有限公司华为武汉光工厂项目经理徐雷，中工武大诚信工程顾问（湖北）有限公司副总经理丁川，中建八局一公司华中公司副总经理张硕，湖北分公司副经理石秀映及项目全体管理人员。

图 | 庆祝华为芯片工厂封顶

据悉，该项目位于武汉光谷中心，总建筑面积达 20.89 万平方米，建设内容包括 FAB 生产厂房、CUB 动力站、PMD 软件工厂及其他配套设施。项目建成后，将作为华为国内首个芯片厂房投入生产，同时也是华为在中部地区最大的研发基地，重点聚焦光能力中心、智能终端研发中心等前沿科技，助力华为实现芯片从设计到制造、封装测试以及投向消费市场的完整产业链。

什么是光芯片？

那么问题来了，什么是“光芯片”？光芯片真就那么重要吗？

光芯片一般就是指光子芯片，是光模块中完成光电信号转换的直接芯片。

从组成上看，光芯片由多个元器件种类构成，包括激光器芯片、调制器芯片、耦合器芯片、分束器芯片、波分复用器芯片、探测器芯片等，这些芯片 / 器件集成后，再加上外围电路，形成光通信模块，最终被应用于路由器、基站、传输系统、接入网等光网络建设中。

图源 | 华创证券

从成本上看，光芯片及组件成本占光模块 BOM 总成本比重超过 50%，而且随着光模块传输速率的提升，光芯片在光模块成本中的占比还在同步上升，据悉，在高端器件中，光芯片成本占比可高达 70%。

由此可见，具有极高的技术壁垒和复杂的工艺流程，光芯片是光模块的心脏，也是整个光通信系统的核心。而光芯片的实力，又代表着一个国家、一个公司的光通信技术水平。

据说这是华为海思的项目？

有人说这个武汉华为光工厂原为华为海思的项目，是真的吗？在回答这个问题前我们先来了解一下华为在光芯片方面的布局。

图源 | 中建八局

回溯光模块 100G 时代，北美传统光模块厂商份额逐渐转移，传统以电信业务为主的光模块厂商份额下滑，逐渐退出数通光模块市场的角逐。此时，我国光模块企业竞争力开始逐渐增强，但当时在芯片层面仍然主要依赖国外芯片厂商，如 Finisar、 JDSU、Oclaro、Fujitsu、Sumitomo 和收购了 Lightwire 后的思科。随着企业并购的不断发生，在并购中掌握话语权的国际厂商一旦收紧芯片供应，就会对国内光模块产业的发展带来致命的打击。为了减小这方面的风险，国内光通信产业涌现了一批具有自主研发能力的企业，比如华为海思、中兴、海信、烽火通信、厦门优讯等。

Ovum 光通信首席分析师 Daryl Inniss 当年就曾建议中国厂商发展硅光子技术，一是投入成本相对较低，二是也容易收购公司或技术，这符合中国的“国情”。确实，从华为海思光芯片发展的历程来看，我们可以追溯到两起收购案。

 2012 年，华为收购英国光子集成公司 CIP；

 2013 年，华为收购了比利时硅光技术开发商 Caliopa 公司。

也就是通过这两项收购，华为正式进入了光通信芯片市场，成为首家掌握硅光子技术的国内厂商。截至 2016 年，华为海思光模块市占率挺进全球前三。

图源 | LightCounting（光模块厂商全球排名）

在 2019 年接受 BBC 专访时，华为创始人任正非就曾透露，“现在华为能做 800G 光芯片，全世界都做不到，美国还很遥远。”随后在 2020 年 2 月，华为在英国伦敦正式发布了“业界首款 800G 可调超高速光模块”。

图源 | BBC

华为这些年来在光通信领域的崛起是事实，但在制造、封装测试领域却是短腿。

值得一提的是，早在 2017 年华为就计划将其投资规模高达数十亿英镑的光芯片研发中心和工厂放在英国。2018 年，华为在英国南剑桥郡购买了 500 英亩土地。2019 年初启动规划申请流程。2019 年 6 月 25 日，华为公司正式宣布其位于剑桥园区的第一期规划已经获批，主要用于光芯片的研发与制造。一期规划用地 9 英亩，建筑面积达 50000 平方米，计划投资规模 10 亿英镑，预计将带来 400 多个工作岗位，落成后将成为华为海外光电子业务总部。不过，今年 7 月，英国政府正式封杀华为 5G，宣布将从 2020 年 12 月 31 日起停止购买新的华为设备，此外，英国 5G 网络中目前所使用的华为设备也必须在 2027 年前拆除。而这或将在一定程度上影响华为在英国的光芯片工厂建设的推进。

此外，据英国《金融时报》报道，华为在上海正准备建立一个芯片组工厂，这个工厂将由总部设在上海的研发公司直接代表华为进行管理，且不会使用任何源自美国的技术，根据规划，该工厂将在 2021 年底开始生产 45 nm 芯片组，并采用 28 nm 光刻技术。力争在 2022 年使用 20nm 以下的先进工艺来制造专门服务于旗下电信部门的芯片。

回过头，我们再来看武汉华为光工厂，它是否是华为海思的项目呢？

根据 2019 年 10 月 10 日，武汉市国土资源和规划局对华为技术有限公司武汉研发生产项目（二期）A 地块进行过的规划设计方案调整批前公示显示，该地块确为海思光工厂项目。调整前后，建筑占地面积增加，由 5905.53㎡整为 42682.19㎡；建筑面积增加，由 11836.59㎡调整为 179731.72㎡。该项目总投资约 18 亿元。

图源 | 知乎

此外，根据华为在此前在其募集说明书透露的信息显示。截至 2019 年 6 月底，华为披露的在建工程达 5 项，包括贵安华为云数据中心项目、华为岗头人才公寓项目、苏州研发项目、华为松山湖终端项目二期和松山湖华为培训学院，拟建项目则有上海青浦研发、武汉海思工厂项目（即武汉华为光工厂项目），总投资分别为 109.85 亿元和 18 亿元，与上述武汉政府公示信息吻合。

值得一提的是，华为选择在武汉建立光芯片工厂，一方面与武汉光谷的定位、发展有关，从上世纪 80 年代开始，武汉光谷用了近 30 年的时间，成为全球最大的光纤光缆生产基地、光电器件研发基地、激光产业基地、是中国最大的光电子产业集聚地。目前在光电领域，只有武汉和西安，是跑在全国最前面的，武汉有光谷，西安有国家光电研究所。另一方面，华为海思的磷化铟实验室本就建在这里，是一条磷化铟的中试线。磷化铟（InP）是第二代化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在光子和射频领域拥有关键优势，是军事通信、雷达和辐射测量等性能驱动型利基市场以及自动测试设备的首选。因此，研发、生产集中在一个有需求、有服务、有配套的地方，有助于降本，这也在侧面证明武汉光芯片工厂是海思的阵地。