电力晶体管

电力晶体管（Power MOSFET），简称为功率MOS管，是一种主要用于高频开关、调节和放大的半导体器件。它具有低导通电阻、快速开关速度、无耗散功率、温度稳定性好等特点，在汽车电子、电源管理、LED照明等领域广泛应用。

1.电力晶体管分类及图形符号

电力晶体管可按电气参数、封装形式分为多种类型，如N沟道型MOS管、P沟道型MOS管、双极性（BJT）开关管等。其图形符号通常表示为一个矩形，底部连接一个箭头表示源极位置，左侧带有一条斜线表示栅极，右侧则为漏极。

2.电力晶体管结构及工作原理

电力晶体管通常由P型衬底、N型漏极、P型漏障层、N型沟道和金属栅等材料组成。当外加电压施加在栅极上时，形成了沟道区域，使得漏障层处于高阻态，从而控制电流的流动。当施加足够高的栅极电压时，沟道区域会被压缩并消失，使得漏障层处于低阻态，从而允许电流通过。

3.电力晶体管特点

电力晶体管具有低导通电阻、高开关速度、无耗散功率、温度稳定性好等特点。同时，它还具有多保护能力，可以通过内部过压、短路等保护功能保证安全稳定运行。然而，电力晶体管也面临着电压容忍度较低、漏电流大等缺点。