隧穿场效应晶体管

隧穿场效应晶体管（Tunnel Field-Effect Transistor, TFET）是一种新型的场效应晶体管，在未来电子器件中具有潜在的重要应用价值。

1.隧穿场效应晶体管是什么

隧穿场效应晶体管（TFET）是一种基于量子力学隧穿效应工作的开关型半导体器件。和传统的MOSFET相比，TFET可以实现更高效的电流控制，并且可显著减少功耗，提高集成度。

2.隧穿场效应晶体管的工作原理

TFET的主要部件包括源极、漏极和栅极。与MOSFET不同的是，TFET的栅极不是用于改变电荷分布，而是用于控制源-漏之间的载流子注入。当栅电压变化时，会调节源-漏之间pn结区域的耗尽层宽度，从而影响载流子的隧穿穿透率和注入浓度。通过这种方式，TFET可以实现电流的高效控制。