雪崩二极管

雪崩二极管（Avalanche Diode）是一种专门设计为在反向电压高于某个特定阈值时进入雪崩击穿状态的二极管。它通常用于稳压和电压参考电路中作为Zener二极管的替代选择。

1.什么是雪崩二极管

雪崩二极管是一种 pn 结二极管，与普通二极管不同的是，它的掺杂浓度要更大，结构也有所不同。当一个电子被施加反向电压击穿时，就会形成电离局部，从而导致电荷载流子被加速并撞击周围原子，从而释放更多载流子，最终形成一个连锁反应，即“雪崩效应”，产生了大量的载流子。

2.雪崩二极管符号

雪崩二极管的符号如下图所示：

3.雪崩二极管工作原理

在正向偏置下，雪崩二极管的工作与普通的二极管类似。但是，在反向偏置时，当反向电压大于阈值时，就会进入雪崩击穿状态。此时电子和空穴以高度加速度受到反向电场的驱动而具有能量增量，随即与晶格相互作用，基本晶格出现被离子化现象，即“雪崩效应”，导致大量载流子释放出来。这样就可以维持一个稳定的反向电压，雪崩二极管也因此被用作稳压器。