动态存储器

动态存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM），是一种基于电容器原理的半导体存储器件。与静态存储器（SRAM）相比，动态存储器具有较高的集成度和可靠性，被广泛应用于计算机内存等领域。

1.动态存储器原理

动态存储器的存储单元由一个电容器和一个开关管组成。当电容器充电后，电荷被存储在其中，表示数据“1”；反之则表示数据“0”。由于电容器会因为自放电而逐渐失去电荷，因此需要通过定期刷新来更新数据，这也是动态存储器与静态存储器的主要区别。

2.动态存储器优缺点

动态存储器具有较高的集成度和低廉的价格，但同时也存在一些缺点。首先，由于需要定期刷新，其访问速度较慢；其次，易受外部干扰，会引起数据错误。不过，随着制造工艺的进步和技术的改进，这些缺点正在逐渐减小。

3.动态存储器应用领域

动态存储器广泛应用于计算机内存、图形处理器（GPU）以及其他需要高速数据传输和大容量存储的应用中。随着人工智能等新型应用的兴起，动态存储器的需求量也在不断增加。