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CINNO Research产业资讯，“虽然根据市场情况变化可能有所变动，但目前8英寸SiC工艺量产投资计划从2028年7月开始进行。晶圆供应正在考虑利用SK Siltron和SOITEC两家公司。”
根据韩媒Thelec报道，11月22日下午，DB Hitek公司沈千万（音译）常务在韩国首尔举行的“第五届Power半导体-Power Korea论坛”上就化合物电力半导体业务战略进行了上述表态。
第五届Power半导体-Power Korea论坛上进行发表的DB Hitek常务沈千万
化合物半导体是由两种以上元素组成的半导体，以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等为代表，这些材料与传统Si(硅)相比具有更高的功率效率和对耐高温的优势。因此，包括电动汽车在内汽车、通信、房产、航空航天等行业，需求呈上升趋势。
目前，DB Hitek公司正计划利用上虞园区内的闲置工厂，建设基于8吋晶圆的SiC、GaN开发和生产系统。GaN领域从今年开始开发基于8英寸晶圆的工艺。据悉，目前已与RFHIC、Sigetronics、Aprosemicon等合作伙伴合作。
以SiC为例，8吋晶圆尚未达到商业化阶段。因此，DB Hitek公司首先正在开发基于6吋晶圆的电力半导体，并将在此基础上未来转向8吋的工艺，完成开发的目标时间定在2026年底。
实现8吋SiC量产的投资预计最早从2028年中旬开始进行。沈千万常务表示：“虽然根据市场情况变化可能会发生调整，但我们预计第一次量产投资是在2028年7月，第二次量产投资是2031年1月。比起汽车用逆变器，我们会先进入OBC、充电站、太阳能等市场。”
8吋SiC晶圆供应计划采用SK Siltron和SOITEC。两家企业都在进行投资，以期在2025年至2026年左右量产8吋SiC晶圆。
沈千万常务表示，“SiC晶圆供应是相关业务的最大挑战之一”，并称“Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ等公司已经与IDM企业签订长期供应合同，正在与SK Slittron和SOITEC就晶圆供应展开讨论”。
另外，此次活动旨在介绍政府在新一代电力半导体材料方面的研发投入方向及技术动向。
