加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层

2022/07/07
488
阅读需 2 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency (零延迟)和True-Adaptive(真自适应)两项技术。这两项技术已经开始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理层IP上进行部署,将为客户带来更高效、更稳定的全新体验。

Zero-Latency (零延迟) 技术在读数据通路上,采用了两种可选的、独特的采样方式进行数据转换,而不像其他DDR物理层供货商采用FIFO进行跨时钟域转换,此技术将延迟降低到最小,节省了硅面积。

True-Adaptive (真自适应)技术始终对芯片内的电压温度、芯片与颗粒之间的往返延迟的变化以及读数据/读数据选通信号的延迟偏差进行跟踪,选择适当的时机进行补偿。采用这个技术后,用户只需上电后进行一次训练,之后即让物理层自行跟踪补偿,可完全避免重新训练带来的带宽损失。

灿芯半导体工程副总裁刘亚东表示:“灿芯半导体深耕DDR物理层技术多年,一直致力于创新架构革新,采用基于这些技术的物理层IP的客户正不断增加,未来灿芯半导体也将致力于更好地满足客户需求,为客户带来更高的价值。”

相关推荐

电子产业图谱