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PIM模块中整流桥的损耗计算

2022/06/08
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在通用变频器或伺服驱动器的设计中,经常会用到英飞凌的PIM模块(即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块)。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的,且由于其多数都是连接电网工作于工频50或60Hz工况,芯片结温波动很小,因此其通常不会是IGBT PIM模块是否适用的瓶颈,所以一般在器件选型时也不会特意去计算或仿真PIM模块中整流桥部分的损耗。但有些客户的机型要满足一些特殊工况,或需要考虑模块的整体损耗来做系统的热设计,这时就需要计算整流桥的损耗。而目前我们在线仿真工具IPOSIM并不支持,所以在此介绍一种变通的计算方法,以备您不时之需。

整流桥的损耗计算,在PIM模块里的二极管电流能力都不大,且处于工频开关,所以其开关损耗一般可以忽略,而只计算其导通损耗,相应的理论公式如下,其对晶闸管和二极管均适用(公式中各个变量的含义如下所示):

公式(1)

以上公式中的F因数取值,跟电路拓扑、输出电流波形和器件导通角度都有关,具体取值可以参考下表:

表(1)

下面我们结合一个实例,来看一下具体计算的步骤和方法。

应用工况:

某客户欲选用FP25R12W2T7用于三相400V输入7.5kW的通用变频器设计,额定输出电流Iout=17Arms,过载1.5倍时:

Iout@1.5*OL=17*1.5=25.5Arms,

cosφ=0.9,m=1。

需要评估一下整流二极管的最大损耗以方便其系统准确的热设计。

1.根据规格书,将模块中的整流桥二极管的VF-IF曲线近似线性化VF=VT0+rTxIF,求得VT0和rT;

此例中,查询规格书并线性化整流二极管V-I曲线,可以求得:VF=0.7+7.3*10^(-3)*IF,

即对应公式(1)中的VT0=0.7,rT=7.3*10^(-3)

2.根据表(1)来确定F取值,F=IRMS/IAV。对三相整流桥且带直流电容的应用场景,可以取F=2~3。

3.根据拓扑及工况计算出整流桥的最大平均输出电流值Idc.

此例中,根据7.5kW过载时的工况条件,又结合公式:

 

可得出:Idc≈IM=Iout=25.5A@1.5*OL。

4.求取每个桥臂中流过的平均电流值:

对三相整流,公式中的IAV_arm=Idc/3;

此例中,Iav_arm=Idc/3=25.5=8.5A。

5.应用前面的公式(1)来计算损耗:

6.计算结温,看是否在芯片Tvjop允许的最大结温以下。

此例中,假定散热器温度为Th=90℃,且查询规格书中RthJH=1.36K/W,则整流二极管的运行结温为:

Tvj=Th+Pv*Rthjh=90+10.7*1.36≈105 (℃),远低于150℃的运行结温,可以安全运行。

至此,一个完整的计算过程就结束了。

通过以上实例可以看出,PIM模块中整流桥的损耗计算,实际上并不复杂,对吗?只需简单几步,就可自己快速计算,您学会了嘛~~~

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英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的推广和交流,发布研讨会日程等。相关产品为IGBT, IPM, 大功率二极管晶闸管,IGBT/MOSFET驱动器,功率组件,iMotion等。