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韩国首尔2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。
- HBM版本名称：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代)
SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。
- HBM2E ：从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本
SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。”
SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。
与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。
此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。
- TSV(Through Silicon Via，硅通孔技术)：在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术
HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。
负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出了全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。”
