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与非网7月22日讯 电阻RAM (ReRAM)技术已经被期待好几年了。尽管它在几家芯片制造商的路线图上占有一席之地，而且是HPE基于忆阻器的“the Machine”项目等新型架构的一部分，但它从未作为一项革命性的存储技术获得成功，尽管这个概念非常有意义。
Crossbar公司成立于2010年，总部位于美国加州圣克拉拉，它开发了一种电阻式随机存取存储器（ReRAM），它基于银离子通过非晶硅迁移形成丝状结构。该公司的目标是生产多层独立的TB级存储器芯片，并将该技术集成到标准CMOS逻辑中，以提供嵌入式非易失性存储器。它提供具有特定功能，大小和性能的预定义和自定义IP内核。是ReRAM技术的业界领导者。Sylvain Dubois指出，ReRAM技术能够很好地填补DRAM与闪存SSD之间的延迟差距。
Crossbar RRAM技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者。Crossbar拥有大容量和快速的优势，并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。
可制造性、成本和其他因素都起到了一定作用，但对于像Crossbar这样把整个业务都押在ReRAM新兴角色上的公司来说，这一策略尚未获得回报。而这家公司今天却宣布了一项可能为ReRAM技术带来新生命的安全技术。
CrossBar公司表示，ReRAM技术可以用于创建物理不可克隆功能(PUF)密钥，因为每个密钥都是特定于单个IC的。
这个想法得到了一些支持，包括来自北亚利桑那大学纳米技术和网络安全小组的 Bertrand Cambou 博士。他说，在评估了其他 PUF方法后，ReRAM 具有优势。“由于其独特的随机和电气特性，与现有 PUF 技术相比，CrossBar 的 ReRAM PUF 可实现更安全的系统。” Cambou 在这里详细讨论了与 ReRAM 相比的其他方法。这是关于 PUF 如何也适用于 ReRAM 的有用描述。
“基于电阻器件的统计分析，在 ReRAM 阵列上生成 PUF 的方法很有前景，”Cambou 说。他补充说：“电阻式 RAM 是一种用于设计安全应用程序、PUF 和 RNG 的有吸引力的存储器技术。与闪存相比，它功耗低、速度快、结构紧凑，对侧信道攻击的敏感度更低。”
公平地说，研究 ReRAM 技术在 PUF 和安全性中的作用并不是一个新想法。2016 年，松下半导体集团首次提出该概念，使用 40纳米 ReRAM 测试芯片来测试该想法（取得了一定的成功）。尽管从 2016 年到现在进行了研究，但是，就我们可以找到的用例而言，这仍然有点边缘，就像 ReRAM 本身一样，拥有所有正确的组件，但没有找到进入更广泛市场的正确“it因素” .
对于 CrossBar 来说，这一定是令人沮丧的。在 ReRAM 未能成为内存创新的下一个大事件之后，该公司发现自己处于另一个艰难的市场。PUF外壳上已经有很多技术（都是使用SRAM，顺便说一句，便宜）。CrossBar 总裁 Mark Davis 表示，与基于 SRAM 的 PUF 方法相比，他们的方法允许更高程度的随机性、更低的误码率，并且所有这些“都不需要模糊提取器、辅助数据或大量纠错码”.
就更广泛的 ReRAM 而言，值得仔细研究（我们正在研究）为什么 ReRAM 从未起步。它可以扩展到 10 纳米以下，具有出色的闪存读取延迟，并且写入速度比 NAND 快很多。它不需要任何超级花哨的制造魔法。那么为什么市场会忽略 ReRAM 呢？
CrossBar 表示，就其现在的业务而言，它已在多个 CMO 代工厂工艺节点上可用，以获得更高的密度和更紧密集成的设备。顺便说一下，该公司通过向 SoC 和内存公司授权作为现成的和定制的 IP 核来维持生计。它于 2010 年首次上市，在下一代内存的早期，虽然安全应用角度可能会帮助他们继续与 ReRAM 斗争，但很难说未来几年该技术的未来通常会是什么样子。
