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近日，上交所正式受理了拓荆科技股份有限公司（以下简称：拓荆科技）科创板上市申请。
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。
拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，形成了包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
拓荆科技产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，累计发货超150套机台。公司凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。报告期内，公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。
营收大幅增长，净利润持续亏损
2018年至2021年第一季度，拓荆科技实现营业收入分别为7,064.40 万元、 25,125.15 万元、43,562.77 万元和 5,774.10 万元；同期净利润分别为-10,322.29万元、-1,936.64万元、-1,169.99万元及-1,058.92万元，扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-14,993.05万元、-6,246.63万元、-5,711.62万元和-2,400.90万元。
拓荆科技表示，报告期内尚未实现盈利，主要由于半导体设备行业技术含量高，研发投入大，产品验证周期长，公司持续进行了大量的研发投入。
报告期内，拓荆科技研发费用分别为10,797.31万元、7,431.87万元、12,278.18万元和2,714.86万元，占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。
拓荆科技指出，2018年度研发投入占营业收入比例超过100%系营业收入较小所致。
截至本招股说明书签署日，拓荆科技已获授权专利 167 项，其中 国内 150 项，包含发明专利 69 项、实用新型专利 80 项、外观设计 1 项；其他国 家或地区 17 项，包含中国台湾地区的发明专利 14 项和美国的发明专利 3 项；国内外和其他地区发明专利合计 86 项。
募资10亿元，加码高端半导体设备
拓荆科技本次募投项目主要是高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目和补充流动资金。
高端半导体设备扩产项目将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。二期洁净厂房建设主要为千级洁净厂房，设计规模为2,600平方米左右。
先进半导体设备的技术研发与改进项目研发内容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD设备的多种工艺型号开发、面向10nm以下制程PECVD设备的平台架构研发及UVCure系统设备研发。基于公司已研发的面向28nm-10nm制程的PECVD设备平台架构，开展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高应力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工艺型号开发，形成先进工艺技术能力和量产能力；基于公司PECVD设备技术积累，开展应用于10nm以下技术节点的PECVD设备平台架构研发，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工艺型号开发；基于公司对薄膜沉积设备及多种薄膜材料工艺研发积累，开展沉积后辅助以紫外线处理的UVCure系统设备研发。通过在集成电路生产厂商进行生产线验证，实现产品的产业化，进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域，推动公司业务规模的持续增长。
ALD设备研发与产业化项目拟在上海临港新片区购置整体厂房，进行装修改造，购置研发设备及生产设备，建设新的研发及生产环境，项目实施主体为公司全资子公司拓荆上海。项目建成后，将作为发行人ALD产品研发及产业化基地。项目拟通过开展系列技术研发，基于公司现有ALD设备技术基础，开发面向28nm-10nm制程的ALD设备平台架构，发展多种工艺机型，同步开发不同腔室数量的机台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求，并进行规模化量产。
关于未来的发展战略，拓荆科技表示，公司自设立以来，以“建立世界领先的薄膜设备公司”为使命，专注于半导体薄膜沉积设备的研发、生产和销售领域，通过多年科研攻关和市场验证，在PECVD、ALD和SACVD设备领域推出了多款量产设备，为下游集成电路制造及泛半导体领域内的客户提供了优质的产品。公司未来将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发中国台湾市场。
