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瞄准碳化硅领域,深圳哈勃投资天域半导体

2021/07/05
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近日,东莞市天域半导体科技有限公司(以下简称“天域半导体”)工商信息发生变更,其中,注册资本从9027.0589万元增至9770.4638万元,同时新增深圳哈勃科技投资合伙企业(有限合伙)(以下简称“深圳哈勃”)为股东。

资料显示,天域半导体成立于2009年1月7日,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。目前公司已引进3台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生长技术已达到国际先进水平。

该公司拥有数十项半导体相关专利,如 " 一种改变 SiC 晶片翘曲度的抛光装置 " 等。

天域半导体官方消息显示,公司是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅 ( SiC ) 外延片研发、生产和销售的高新技术企业,是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证 ( IATF 16949 ) 。

2010年,天域半导体与中国科学院半导体研究所合作,共同创建碳化硅研究所。天域半导体可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圆,是制作各种单极、双极型碳化硅功率器件的关键材料。

哈勃投资成立于 2019 年 4 月 23 日。法定代表人为白熠,经营范围包含:创业投资业务,由华为投资控股有限公司 100% 控股。

哈勃投资成立之初注册资本是 7 亿元人民币,随着哈勃投资的项目越来越多,华为不断向哈勃增资。目前哈勃注册资本已经增加至 30 亿元人民币。

面对美国的压力,华为正在海外招募大批人才。华为寻求聘请慕尼黑的芯片工程师、伊斯坦布尔的软件开发人员和加拿大的人工智能研究人员。此外,中国大陆和海外有数百位博士生为其效力。

随着美国制裁不断加重,半导体 " 卡脖子 " 的情况愈发严重,2019 年,华为的全资子公司哈勃投资,不断在半导体芯片、原材料、设备等行业 " 落子 ",引发外界对华为全面入局半导体行业的猜想。

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