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6月29日，三星宣布，与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。三星先台积电一步，提前在3nm制程中采用GAA工艺。
据了解，三星于去年1月便宣布将生产世界上第一个3nm GAAFET工艺原型。3nm GAAFET需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET晶体管结构的设计和认证工具，在此方面，三星使用了Synopsys的Fusion Design Platform。因此，这次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的，旨在加速为GAA流程提供高度优化的参考方法。
三星表示，GAA架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，能够为基于纳米片宽度控制的额外矢量带来新的优化机会，并搭配完善的电压阈值，能够更好地优化功率，为性能或面积 (PPA) 的提供更好地设计。
然而，这已经不是三星第一次在工艺节点上先台积电一步引入新的技术，先前在7nm的工艺中，三星也同样先台积电一步采用EUV光刻技术，可见，三星在新技术方面表现的更加大胆，也彰显了其与台积电“一决高下”的态度。
然而，在3nm芯片中提前采用GAA工艺是否真的能如愿给三星带来更多竞争优势吗？
Gartner研究副总裁盛陵海认为，提前采用新的工艺技术，实则会产生一定的风险性，“FinFET工艺结构已经在先进集成电路芯片中发展应用了10年之久，可见FinFET技术在各方面已经相对比较成熟，也能够更好地控制成本，而引入GAA之后，在很多技术方面需要进行重新考量，需要花费更多成本来进行研发，这也容易造成芯片成本更高，性能也不一定比采用FinFET工艺结构的芯片更佳。”盛凌海同《中国电子报》记者说道。
与此同时，芯谋研究研究总监宋长庚也认为，对于客户而言，并不会由于代工厂采用了新的技术，而选择进行尝试，依然会从功耗、性能、价格等各方面来综合考量芯片的技术，蔡虎进行采纳，因此在客户竞争方面，抢先一步采用GAA工艺或许并不一定能为三星带来更多客户。
“但这并不意味着三星提前采用GAA工艺是完全不合理的，先前，三星在存储器方面已经用到了GAA的晶体管，可以看出三星在GAA技术方面已经积累了一定的经验，提前在3nm芯片中采用GAA工艺，或许能为三星带来一定的优势。” 宋长庚说道。
