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联华电子为全球半导体晶圆专工业界的领导者，提供高质量的晶圆制造服务，专注于逻辑及特殊技术，为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的制程技术及制造解决方案，包括逻辑 / 射频、嵌入式高压解决方案、嵌入式快闪存储器、RFSOI/BCD，以及所有晶圆厂皆符合汽车业的 IATF-16949 制造认证。
联电现共有十二座晶圆厂，策略性地遍及亚洲各地，制程技术范围由 5 微米至 0.11 微米，提供客户多样应用的选择，并可提供客制化制程，以因应快速演进的市场，服务日益增加的半导体芯片需求。
联电拥有 4 座营运中的先进 12 英寸晶圆厂。位于台南的 Fab 12A 于 2002 年进入量产，目前已运用先进 14 及 28 纳米制程为生产客户产品，研发制造复合厂区由三个独立的晶圆厂，P1＆2、P3＆4 以及 P5＆6 厂区组成，月产能目前超过 87000 片；位于新加坡白沙晶圆科技园区 Fab 12i 为联电特殊技术中心，于 12 英寸特殊制程的生产制造上，提供客户多样化的应用产品所需 IC，目前月产能达 50000 片；位于中国厦门的联芯 FAB12X，已于 2016 年第 4 季度开始量产，其总设计月产能为 50000 片，目前月产能接近 20000 片；位于日本三重县 USJC 月产能 33000 片，提供最小至 40 纳米的逻辑和特殊技术。除了 12 英寸厂外，联电还拥有的七座 8 英寸厂与一座 6 英寸厂，每月总产能超过 750000 片约当 8 英寸晶圆。
开疆拓土
1980 年 5 月 22 日，联电（联华电子；United Microelectronics Corporation；UMC）从中国台湾工研院分拆成立，杜俊元出任第一任总经理。作为中国台湾首家民营集成电路公司，成立之初的联电主要生产电子表、计算器与电视用集成电路（IC）。联电也是中国台湾第一家提供晶圆专业代工服务的公司。
1982 年 4 月，联电建成中国台湾首条 4 英寸晶圆生产线（工厂代号 UMC1）。
1982 年 11 月，联电达损益平衡，
1982 年，联电全年实现营收达新台币 1.9 亿，员工 380 人。
1983 年 6 月，联电月销售额首度突破新台币 1 亿元。
1983 年，联电全年实现营收增至 11 亿，员工 610 人。
1984 年，联电成立研发部门，自主进行产品和工艺的研发，走上良性成长阶段。
1985 年 7 月 16 日，联电股票在中国台湾证券交易所公开上市，代号：2303。
1989 年，联电 6 英寸晶圆生产线投产（工厂代号 UMC2，现 FAB 6）
1993 年 6 月 10 日，联电分拆知识产权（IP）和 NRE 部门成立智原科技（Faradry；1999 年 10 月 27 日上市，代号：3035）。
1994 年，联电完成 0.5 微米制程研发。
艰难转型
1995 年 7 月，联电转型为纯晶圆代工（Foundry）公司。
1995 年 7 月，联电和 Alliance、S3 合作成立联诚半导体（United Semiconductor Corp.，USC），是现在的 FAB 8B 厂。
1995 年 8 月，联电与 Trident、ATi、ISSI 等七家公司合作成立联瑞科技（United Integrated Circuits Corporation，UICC），是现在的 FAB 8D 厂。
1995 年 9 月，联电和两家 IC 设计公司合作成立联嘉积体电路（United Silicon Incorporated Corp.，USIC），是现在的 FAB 8C 厂。
1995 年 9 月，联电 8 英寸晶圆厂（原 UMC3，现在 FAB 8A）开始生产。
1996 年 1 月，联电 0.35 微米制程开始生产（联嘉二厂）。
1996 年 5 月 29 日，联电将计算机事业部门分拆成立联阳半导体（ITE；2002 年 10 月 24 日上市，代号：3014）。联阳早期专注于台式电脑（PC）及笔记型电脑（NB）控制芯片的开发设计，后并购联盛半导体、绘展科技、晶瀚科技，使得公司扩充了快闪存储器控制芯片、数字电视接收控制芯片、多媒体控制芯片以及模拟芯片等新的产品线。
1996 年 8 月 16 日，联电将通讯事业部门分拆成立联杰国际（DAVICOM Semiconductor；2007 年 8 月 6 日上市，代号：3094）。
1997 年 5 月 28 日，联电将多媒体事业部门分拆成立联发科技（MediaTek；2001 年 7 月 23 日上市，代号：2454），包括蔡明介在内的 20 多人的初始团队从 CD-ROM 芯片开始出发。
1997 年 5 月 28 日，联电将消费性部门分拆成立联咏科技（Novatek；2001 年 4 月 24 日上市，代号：3034）。
1997 年 7 月，联电将内存事业部门分拆成立联笙电子（AMIC）。
1997 年 10 月，联电 0.25 微米制程开始生产。
1998 年 4 月，联电收购合泰半导体（现盛群半导体，Holtek）的 8 英寸晶圆厂（现 FAB 8E）。
1998 年 5 月，联电 UMC5（现 FAB 8F）动工兴建。
1998 年 12 月，联电收购新日铁半导体（1999 年中文名称更名为联日半导体株式会社，2001 英文名称更名为 UMC Japan），成为日本唯一少量多样生产模式的晶圆代工厂。
1999 年 1 月，联电单月营收首度超过新台币 20 亿。
1999 年 3 月，联电 0.18 微米制程开始生产。
1999 年 11 月，联电南科 12 英寸晶圆厂正式建厂。
世纪曙光
2000 年 1 月 3 日，联电、联诚、联瑞、联嘉、合泰等合并成立联电集团；张崇德、温清章就任总经理。
2000 年 1 月，联电集团单月营收首度超过新台币 60 亿。
2000 年 3 月 27 日，联电宣布产出业界首批铜制程芯片，首个芯片是赛灵思（Xilinx）的 FPGA 产品。
2000 年 5 月 12 日，联电宣布产出第一颗 0.13 微米制程芯片，产品是 2M SRAM。
2000 年 9 月 19 日，联电在纽约证券交易所发行 9000 万单位存托凭证（代码：UMC），成为第一家在纽交所上市的中国台湾半导体公司。共募集 13 亿美元，创下中国台湾公司在纽约证券交易所首度上市的交易金额纪录。
2000 年 10 月 27 日，联电 FAB 12A 厂举行上梁典礼，预定 2001 年 Q3 投产。
2000 年 12 月 1 日，联电和日立合资的 Trecenti 的 12 英寸晶圆厂成功产出全球第一批 12 英寸代工晶圆。首批产品是 0.18 微米制程的 4M 和 8M SRAM。
2000 年 12 月 15 日，联电宣布投资 36 亿美元和英飞凌于新加坡合资筹建 12 英寸晶圆制造厂（UMCi）。
2000 年，联电全年营收首度超过新台币 1000 亿。
2001 年 4 月 12 日，联电旗下新加坡 12 英寸晶圆厂动工。
2002 年 4 月 1 日，联电宣布宣明智接替曹兴诚担任首席执行官。
2002 年 2 月，联电退出和日立合资的 Trecenti。
2003 年 1 月，联电新加坡 12 英寸晶圆厂进行装机。
2003 年 3 月，联电产出第一颗 90 纳米制程 IC。
2003 年 7 月 15 日，联电宣布胡国强博士接替宣明智先生担任首席执行官。
2004 年 3 月，联电旗下新加坡 12 英寸晶圆厂迈入量产阶段。
2004 年 5 月，联电 90 纳米制程完全通过验证并迈入量产。
2004 年 6 月，联电单月营收首度超过新台币 100 亿。
2004 年 7 月，联电并购硅统半导体的 8 英寸晶圆制造厂，是现在的 FAB 8S 厂。
2004 年 12 月，联电正式收购旗下子公司 UMCi，并改名为 Fab 12i。
2005 年 6 月，联电产出业界第一颗 65 纳米芯片。
2005 年 8 月，联电 90 纳米晶圆出货量逾 10 万片。
2006 年 6 月，联电成为全球第一家全公司所有厂区均完成 QC-080000 IECQ HSPM 认证之半导体制造商。
2006 年 11 月，联电产出第一颗 45 纳米制程测试芯片。
2007 年 1 月，联电扩大位于台南科学园区的生产研发基地。
2007 年 5 月 22 日，联电位于台南的新研发大楼建成。
2007 年 8 月 17 日，联电设立首设 COO 陪伴，由孙世伟副总裁兼任。负责 12 英寸晶圆厂的营运。
2008 年 7 月 16 日，联电宣布洪嘉聪为新任董事长，任命孙世伟为执行长。
2008 年 10 月，联电产出晶圆代工业界第一个 28 纳米制程 SRAM 芯片。
2009 年 4 月，联电产出 40 纳米芯片。
2009 年 12 月，联电正式收购日本子公司 UMCJ。
2010 年 12 月，联电南科 12A 厂第三期进入量产。
2011 年 10 月，联电 28 纳米制程进入试产。
2012 年 5 月 24 日，联电南科 12A 厂第五第六期厂房动土典礼。
2012 年 11 月，联电宣布颜博文接替孙世伟担任首席执行长。
2013 年 3 月，联电完成收购和舰科技，是现在的 FAB 8N 厂。
2013 年 5 月，联电打造 Fab12i 厂为特殊技术中心（Specialty Technology Center of Excellence）。
2014 年 8 月，联电入股富士通旗下新晶圆代工子公司三重富士通半导体。
2014 年 10 月 9 日，联电与厦门市政府及福建省电子信息集团成立合资公司联芯集成，运营 12 英寸晶圆代工业务，项目总投资预计达 62 亿美元，设计规划最大月产能为 12 英寸晶圆 5 万片。
2015 年 3 月 26 日，联电旗下厦门联芯集成 12 英寸生产厂房动土典礼。
2016 年 11 月 16 日，联电旗下厦门联芯集成 FAB 12X 厂进入量产。
2017 年 2 月 23 日，联电 14 纳米工艺进入量产。
2017 年 5 月 22 日，联电旗下厦门联芯 28 纳米正式量产出货。
2017 年 6 月 14 日，颜博文辞任首席执行长职位，由王石、简山杰担任共同总经理，王石主外掌管市场，简山杰对内掌控技术、研发。
2018 年 6 月，联电董事会通过购买与富士通合资公司的全部股权。
2018 年 7 月，联电单月营收创历史最高，营收高达新台币 143 亿。
2019 年 7 月 21 日，联电撤销子公司和舰芯片原订赴中国大陆科创板上市计划。
2019 年 10 月，联电完成收购富士通旗下三重富士通半导体，成为 100%完全独资的子公司，更名为 United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。
2020 年 7 月，联电 7 月营收再创历史新高，营收高达新台币 154.95 亿元。
