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日前，长鑫存储（CXMT）和 WiLAN Inc. 联合宣布，长鑫存储与 WiLAN Inc. 合资子公司 Polaris Innovations Limited 有关达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量奇梦达（Qimonda）的 DRAM 技术专利的实施许可。此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。
Polaris 于 2015 年 6 月以 3000 万欧元（约合 2 亿元人民币）的价格从英飞凌（Infineon）收购奇梦达 7000 多项专利和申请，包括与 DRAM、FLASH 存储器、半导体工艺、半导体制造、光刻（lithography）、封装、半导体电路和存储器接口（Memory Interfaces）相关的技术，其中包括约 5000 种美国专利和申请。截至目前，7000 多项专利和申请中，已颁发的专利的平均剩余寿命约为 4 年。
这是长鑫存储继 2019 年 5 月宣布获得奇梦达一千多万份有关 DRAM 的技术文件（约 2.8TB 数据）后，再次宣布获得奇梦达的专利许可。
长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，两份协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障 DRAM 业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。长鑫存储将继续通过自主研发以及与 WiLAN 等国际伙伴的合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。
奇梦达的前身是西门子（Siemens）半导体部门，1999 年西门子半导体部门独立成为英飞凌科技，2006 年 5 月英飞凌存储业务部门分拆成立奇梦达。
2006 年奇梦达财年销售收入为 49 亿欧元，是当时世界第二大存储器制造商。产品包括 DRAM、图形 DRAM、移动 DRAM 和 FLASH 闪存。
奇梦达是存储产业界最先实际转换使用 12 英寸晶圆技术生产 DRAM 的供应商，2006 年 9 月成功研制 75 纳米深沟槽技术；2008 年 58 纳米深沟槽技术投产。由于 2008 年金融危机和半导体价格的大幅下跌，2009 年奇梦达经历了财务困难和最终破产，但很有价值的知识产权在 2014 年被英飞凌收购。
芯思想研究院的报告中称，2008 年奇梦达在 IEDM2008 大会上发表的论文《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》中提出 46 纳米级的 6F2 buried wordline 技术，制造出了最小尺寸单元为 0.013mm2 的产品，buried wordline 技术可以形成低电阻互连和阵列晶体管的金属栅极，文中还提到，阵列器件可以缩小到 30 纳米而不会影响其性能。其实 buried wordline 和现在的主流技术堆叠式异曲同工。
芯思想研究院认为，此次从 Polaris 获得奇梦达的专利许可，再次表明长鑫存储建立了严谨合规的研发体系，将进一步助力长鑫存储开发 DRAM 关键技术，强化长鑫存储在业界的竞争地位。
