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与非网 10 月 22 日讯，SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16Gb DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
此外，新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输速率。与使用 1Y nm 工艺打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模块相比，其能耗更是降低了 40% 。
什么是 1Xnm，1Ynm 和 1Znm
在内存工艺进入 20nm 之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是希望通过两代或三代 1Xnm 节点去升级 DRAM，由此称为 1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上 1Xnm 工艺相当于 16-19nm 级别、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 工艺相当于 12-14nm 级别。
重要的是，第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容，电容是指存储电荷的数量 / 容量。随着 DRAM 电容的增加，数据的保留时间和一致性也会增加，这是 DRAM 的关键要素。另外，已经引入了新的设计技术以提高稳定性。
SK Hynix 表示：第三代 10nm 级 DDR4 是满足行业客户寻求高性能 / 大容量 DRAM 的最佳产品，我们将在今年内做好批量生产的准备，并于 2020 年开始全面供应，并将积极响应市场需求。
同时，SK 海力士计划将第三代 10nm 级技术扩展到各种应用，例如下一代移动 LPDDR5 和 HBM3。HBM 是一种高性能产品，使用 TSV 技术作为高带宽存储器，比传统 DRAM 数据处理速度更快。
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