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与非网 9 月 17 日讯，今年 8 月 8 日，日本解禁一批对韩出口半导体材料，其中包括对 7nm 先进制程至关重要的 EUV 光刻胶。韩国的半导体遭受到了重击，因为韩国半导体材料有 80%左右是从日本进口的，而像三星、SK 海力士据说库存只有坚持 2、3 个月。
韩国的生态系统不足以支持 EUV 光刻工艺。主要从日本引进的 EUV 光刻胶于 7 月被日本政府宣布监管，使韩国企业受到了直接打击。尽管三星电子和 SK 海力士生产自己的 EUV 光罩，但他们目前对外国公司提供的必要设备和材料依赖度很高。例如，EUV 光刻系统仅由荷兰的 ASML 提供。
在这样的背景下，ESOL 公司首席执行官 KimByung-guk 表示，该公司打算挑战 EUV 光刻市场中的外国公司。ESOL 是 Euv SOLution 的缩写，是一家名为 FST 的半导体薄膜公司的子公司。就像公司名称一样，ESOL 开发了 EUV 光刻工艺所需的各种解决方案和系统。
ESOL 最近一直致力于一种独特系统的研发。该系统可以低成本加快 EUV 光刻胶的显影速度。EUV 光刻胶是在 EUV 光刻工艺发生之前需要施加到晶片的材料，目前，韩国公司都不能实施这一过程。
中小型半导体材料制造商尤其没有足够的资金来引入 EUV 光刻系统，该系统要耗资超过 1.27 亿美元（1500 亿韩元）来测试他们的材料。他们也很难与需要先使用先进技术的大公司合作。
目前正在开发的“EMiLE”系统不会像当前的 EUV 光刻系统那样在 EUV 掩模上印刷的电路上减少并执行光刻工艺。相反，它通过 EUV 光应用“干涉现象”并评估光刻胶的性能。
该系统移除了反射 EUV 辐射的 11 个反射镜和附着在 EUV 光刻系统上的光掩模，并在晶圆和 EUV 光源之间放置金属部件。
金属部件有两个方孔，这些孔有规律地向左和向右间隔开。这些方孔具有均匀且精细排列的 32nm 金属线。这被称为“光栅”，会引起光衍射。
当 EUV 光源穿过两个孔并进入光栅时，光在许多方向上衍射和弯曲。穿过这些孔的光开始相互干扰。在干涉期间，存在光强度变强的部分，并且还存在强度变弱的部分。光强度变强的部分接触 EUV 光刻胶并形成由 16nm 垂直线组成的图案。
该系统应用光刻工艺的特征，其利用光印刷 pattern 并检查光刻胶 pattern 形成的性能。
ESOL 还完成了关于系统的必要模式的申请。ESOL 副总裁 Lee Dong-geun 相信公司现在可以测试 EUV 光刻胶而无需购买昂贵的 EUV 光刻系统。
“EMiLE 系统的成本约为目前 EUV 光刻系统成本的 10％。”副总裁李说。“韩国公司现在可以大大增加测试 EUV 光刻胶性能的机会，并在短时间内加速 EUV 光刻胶的开发。”
ESOL 几乎完成了开发使用“波带片透镜（zone plate lens）”的 EUV 掩模检查系统。该系统可以相对低的成本检查 EUV 掩模是否有缺陷。
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