莫大康：迎接存储器业的挑战

较为乐观的估计，能用 5 年左右的时间，达到全球市场(2018 年存储器业产值预测可达 1,500 亿美元)占比的 3% - 5%，也即 DRAM 与 NAND 的累加产值能达到近 50 亿美元，表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。

 

中囯三大存储器厂，长江存储、晋华及合肥长鑫都已进入试产阶段，并计划 2019 年实现量产。这是中囯半导体业的一场存储器突围战，是零的突破。

 

中囯半导体业发展由于其独特的地位决定了它必须实现“自主可控”。然而半导体业有它的规律，包括有两个主要方面，一个是摩尔定律推动，其精髓是技术必须迅速的进步，每 18 个月同样的产品其成本可能下降 50%；以及另一个是实现量产，半导体是个高度规模经济的产业。因而在一定程度上这个产业需要大量的投资，搜罗顶级的人材，以及生产线的严格管理。而这两个方面都与国家的工业基础紧密相关连，显然在现阶段中国半导体业是不足的，因此产业的突围，可能需要时间上的积累。

 

尽管面临的困难重重，也不可能阻挡突围的决心，因为中国存储器业突围存在不少的有利条件：

 

国家意志主导，加上政府，地方等齐动手，有充裕的资金支持。

 

中国消耗全球 20%的 DRAM 及 25%的 NAND，2017 年中国进口存储器 889.21 亿美元，同比 2016 年的 637.14 亿美元增长了 39.56%。

 

根据美光、三星、海力士的财报统计，2017 年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为 103.88 亿美元、253.86 亿美元、89.08 亿美元，总计 446.8 亿美元，同比 2016 财年的 321 亿美元增长 39.16%。

 

三家厂，属于三个不同类别，分别是长江存储的 32 层 3D NAND 闪存；晋华的 32 纳米、利基型 DRAM，以及长鑫的 19 纳米先进型 DRAM。

 

中国的 IoT 应用市场发展迅速，有著名的腾讯、百度与阿里巴巴等，它们推动 5G、数据中心、互联网、车联网等应用。

 

存储器、控制器等配套产业链正在形成。

 

 

  如何突围  

 

按照存储器业的特点，中国把存储器芯片生产线打通是有把握的，然而困难的是产能爬坡的速率，也即产能由试产的 5,000 片至 20,000，或者 30,000 片时，产品的良率，及成本，它直接决定了产能继续扩充的可能性，因为通常产能必须扩充到 50,000，或者 100,000 片时，芯片生产线才有可能实现盈利，但是此段过程可能相对用较长的时间。

 

在产能扩充的过程中，对手们不会轻易放过我们，一定会利用专利及价格战阻碍我们的突围。

 

对手们十分清楚，专利战的目的在于阻碍中国存储器业的进步，如之前台积电打击中芯国际时，让您领军人物下台，以及赔款。

 

因此为了迎接专利战，必须学习上海中微半导体，从公司成立起就聘用美国律师，准备好一切材料准备好打专利战，并且不要抱有幻想，这一仗是不可避免的。

 

另一个是三星、美光惯用的产品价格战，它们占有先手的优势、产品的成熟、以及资金充裕，因此在短时间内甚至亏本销售是常用的策略，让我们的产品销售有困难。

 

因此中国存储器业面临的最大问题可能有两个方面，一个是不要轻敌，认为用不了几年就能突围成功，要把困难想得更多些，例如中国存储器的消耗量很大，依靠国家意志与支持就能生存下来，恐怕不能太依赖，因为只有产品的性价比相近，才有生存的可能性，因为国家的财力有限；另一个是坚持下去，这个产业的发展经验告诉我们，只有坚持到底，才有可能立足，生存下来。今天无论 19 纳米 DRAM 的良率提升与成本下降，以及 32 层 3D NAND 闪存向 64 层 3D NAND 闪存的技术过渡都需要时间上的积累，不可能一蹴而成。另外，由于没有经过真正的实践与体会，对于“板凳要坐十年冷”，可能仅停留在概念上。当那个时刻真的来临时，可能意想不到的各种困难会呈现，能坚持下来就一定十分不易。

 

较为乐观的估计，能用 5 年左右的时间，达到全球市场(2018 年存储器业产值预测可达 1,500 亿美元)占比的 3% - 5%，也即 DRAM 与 NAND 的累加产值能达到近 50 亿美元，表明中国存储器业的突围取得了初步的成功。